1.一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列，包括衬底（1），其特征在于，衬底（1）上端设置有多个呈阵列分布的双极型晶体管器件，所述双极型晶体管器件包括设置在衬底（1）上端的栅电极（2），栅电极（2）外侧包括有绝缘层（3），绝缘层（3）上端设有发射区（4），发射区（4）上引出有发射极（5），发射区（4）上端设有基区（6），基区（6）上引出有基极（7），基区（6）上端设有集电区（8），集电区（8）上引出有集电极（9）；

所述发射区（4）和集电区（8）采用N型半导体材料，所述基区（6）采用P型半导体材料。

2.根据权利要求1所述的一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列，其特征在于，所述发射区（4）的N型半导体材料为硒化铅，厚度介于200nm到300nm之间。

3.根据权利要求1所述的一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列，其特征在于，所述基区（6）的P型半导体材料为硫化铅，厚度介于40nm到100nm之间。

4.根据权利要求1所述的一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列，其特征在于，所述集电区（8）的N型半导体材料为IGZO，厚度介于600nm到750nm之间。

5.根据权利要求1所述的一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列，其特征在于，所述绝缘层（3）的材料为二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列，其特征在于，所述栅电极（2）为采用喷墨打印的方式将银离子墨水打印在衬底（1）上形成。

7.权利要求1‑6任一项所述的一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，对衬底（1）进行丙酮、酒精和去离子水的超声振荡清洗；

S2，在清洗后的衬底（1）上，用银离子墨水通过喷墨打印的方式制备栅电极（2）；

S3，在栅电极（2）上通过旋涂、点胶、溅射或喷墨打印方式制备绝缘层（3）来包裹栅电极（2）；

S4，对绝缘层（3）表面上利用硒化铅磁控溅射沉积形成N型发射区（4）；

S5，在发射区（4）上采用硫化铅反应溅射沉积形成P型基区（6）；

S6，采用射频磁控溅射在基区（6）表面沉积IGZO薄膜，制备集电区（8）；

S7，利用银离子墨水，通过喷墨打印的方式分别在发射区（4）、基区（6）、集电区（8）上制备发射极（5）、基极（7）和集电极（9）。

8.根据权利要求7所述的一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列的制备方法，其特征在于，采用射频磁控溅射沉积N型集电区（8）的过程中，靶材为IGZO，溅射功率为100W，沉积压强为5mTorr，氩气与氧气通气比为50：5，并进行退火处理。

9.一种溶液成分及浓度检测设备，其特征在于，包括权利要求1‑6任一项所述的一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列。

10.权利要求1‑6任一项所述的一种多频响应的双极型晶体管红外偏振增益光电探测阵列在制作溶液成分及浓度检测设备中的应用。