1.一种多级磁流变液通道活塞头，其特征在于，包括端盖、导磁机构、电磁机构和磁流变液通道；

所述端盖包括左端盖和右端盖，所述左端盖和右端盖相对设置，并在轴心处开设有活塞孔；所述左端盖设置有第一磁流变液进/出槽，右端盖设置有第二磁流变液进/出槽；

所述电磁机构设置于所述导磁机构内部，包括铁芯和励磁线圈；所述励磁线圈包裹所述铁芯，并通过导线连接外部电源，用于产生磁场；

所述导磁机构设置在左端盖和右端盖的相对区域内，包括隔磁元件和导磁元件，所述隔磁元件与导磁元件交替设置，用于改变磁力线行进路线；

所述导磁元件通过与端盖和/或隔磁元件间隙配合形成磁流变液通道，所述磁流变液通道在导磁机构内部串联形成弯折的通路，其一端连接所述第一磁流变液进/出槽，另一端连接所述第二磁流变液进/出槽。

2.根据权利要求1所述的一种多级磁流变液通道活塞头，其特征在于，所述导磁机构包括第一导磁机构；

所述第一导磁机构包括多个同轴的环形导磁单元，环形导磁单元包括隔磁环和卡接设置在隔磁环两侧的导磁环；

所述环形导磁单元通过单侧或双侧的导磁环与所述端盖卡接连接。

3.根据权利要求2所述的一种多级磁流变液通道活塞头，其特征在于，所述导磁机构还包括第二导磁机构；

所述第二导磁机构设置在第一导磁机构内部，包括导磁套筒、导磁瓦和隔磁盘；

所述导磁套筒包裹设置在励磁线圈外表面，与设置在励磁线圈两端的隔磁盘卡接连接，所述隔磁盘底部与所述铁芯外侧面固定连接；所述导磁瓦设置在隔磁盘与端盖的相对区域内，与所述隔磁盘和/或端盖卡接连接。

4.根据权利要求2或3所述的一种多级磁流变液通道活塞头，其特征在于，所述第一导磁机构包括内层环形导磁单元、中层环形导磁单元和外层环形导磁单元；

所述内层环形导磁单元设置在活塞头内部中轴线处，其左右两侧的导磁环分别与端盖卡接，并且内层环形导磁单元的内径与活塞孔内径相同；

所述中层环形导磁单元设置在活塞头内部，其右侧的导磁环与右端盖卡接；

所述外层环形导磁单元设置在活塞头内部，其右侧的导磁环与右端盖卡接，并且外层环形导磁单元的外表面与端盖外圈面齐平。

5.根据权利要求4所述的一种多级磁流变液通道活塞头，其特征在于，所述第二导磁机构包括第一左导磁瓦、第二左导磁瓦、第一右导磁瓦和第二右导磁瓦；

所述第一左导磁瓦两端卡接左端盖和左侧的隔磁盘，第二左导磁瓦卡接左端盖；所述第一右导磁瓦卡接右端盖和右侧的隔磁盘，第二右导磁瓦卡接右端盖。

6.根据权利要求5所述的一种多级磁流变液通道活塞头，其特征在于，所述外层环形导磁单元与中层环形导磁单元形成第一磁流变液通道；

所述中层环形导磁单元与第一左导磁瓦、导磁套筒和第一右导磁瓦形成第二磁流变液通道；

所述第一右导磁瓦与第二右导磁瓦形成第三磁流变液通道；

所述第二右导磁瓦与铁芯形成第四磁流变液通道；

所述铁芯与内层环形导磁单元形成第五磁流变液通道；

所述铁芯与第二左导磁瓦形成第六磁流变液通道；

所述第二左导磁瓦与第一左导磁瓦形成第七磁流变液通道；

所述第一磁流变液通道与第二磁流变液进/出槽连通，所述第七磁流变液通道与第一磁流变液进/出槽连通。

7.一种多级磁流变液通道阻尼器，其特征在于，包括缸筒、活塞杆机构、磁流变液和活塞头；

所述活塞头为权利要求1至权利要求6任一项权利要求中所述的多级磁流变液通道活塞头；

所述活塞头贴合设置在所述缸筒内部，并与所述活塞杆机构固定连接；

所述活塞头与所述缸筒形成磁流变液腔室，用于储存磁流变液；

所述活塞杆机构贯穿所述缸筒，用于带动所述活塞头在缸筒内沿受力方向运动。

8.根据权利要求7所述的一种多级磁流变液通道阻尼器，其特征在于，所述缸筒两端分别设置左缸盖和右缸盖，左缸盖和右缸盖与缸筒卡接后采用螺栓固定连接；

所述左缸盖和右缸盖分别在其轴线上贯穿开设有活塞杆通孔，用于安装活塞杆；所述左缸盖上还开设有注液通孔，用于向缸筒内添加磁流变液；

所述缸盖、右缸盖和缸筒外表面排布设置有条形散热纹路。

9.根据权利要求7所述的一种多级磁流变液通道阻尼器，其特征在于，所述活塞杆机构包括主活塞杆、副活塞杆和连接杆；

所述连接杆用于连接主活塞杆和副活塞杆，所述连接杆与主活塞杆一体成型，与副活塞杆螺纹连接，连接杆中空设置，在其杆体上设置有导线孔；

所述活塞头设置在连接杆处，其左端盖和右端盖贴合主活塞杆和副活塞杆的端面。

10.根据权利要求7所述的一种多级磁流变液通道阻尼器，其特征在于，还包括直流电导线，直流电导线依次穿过铁芯、内层环形导磁单元左侧的导磁环、主活塞杆，并从导线孔穿出引向阻尼器外部与外部电源连接，用于提供励磁线圈产生磁场所需的电流。