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专利号: 2024104306043
申请人: 大连高聚新材料科技有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-10-29
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.基于炉体温度优化的稀土永磁粉制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:选取稀土永磁粉制备原料硼、氢,稀土元素La,过渡族元素Fe、Cu,将稀土永磁粉制备原料进行配比并混合,混合后的原料送入Cu坩埚熔体进行熔化,在惰性气体保护下加热重熔得到合金熔液;合金熔液经旋转的冷却辊表面凝固为快淬薄带;

采集冷却辊热成像图及Cu坩埚熔体热成像图;结合冷却辊热成像图及Cu坩埚熔体热成像图分析快淬过程的温度情况,对快淬炉体温度进行调节;

将快淬薄带送入破碎机,在惰性气体的保护下,经过破碎、筛分得到粉末,粉末经650℃的温度热处理15分钟获取稀土永磁粉;

所述对快淬炉体温度进行调节,包括:

根据冷却辊Cu坩埚熔体温度分布情况得到熔体温度近因优化指数、熔体温度内因优化指数;

获取熔体温度内因优化指数与熔体温度近因优化指数的差值,将所述差值作为以自然常数为底数的指数函数的指数,将指数函数的计算结果作为炉体的温度优化因子;

获取采集时间段N帧热成像图对应的N个温度优化因子,将N个温度优化因子组成温度优化因子序列,作为BP神经网络的输入,BP神经网络的输出为电弧溢流式真空快淬炉电极功率,通过电弧溢流式真空快淬炉电极功率调节真空快淬过程炉体温度;

所述熔体温度近因优化指数,包括:

根据各生长区域的温度情况得到各生长区域的高温贫乏因子及高温扩散因子;

将生长区域高温扩散因子与高温贫乏因子的比值记为第一比值,将生长区域内像素点个数与冷却辊热成像图像素点总数比值作为第二比值,计算所有生长区域所述第一比值与所述第二比值乘积的和值;

获取稀土永磁材料在真空快淬过程中标准冷却辊温度,获取以自然常数为底数、冷却辊热成像图温度均值与标准冷却辊温度差值为指数的指数函数的计算结果,将所述和值与所述计算结果的乘积作为熔体温度近因优化指数;

所述高温贫乏因子及高温扩散因子,包括:

计算各生长区域内各像素点对应温度与冷却辊热成像图温度均值的差值,将所述差值的相反数作为以自然常数为底数的指数函数的指数,获取各生长区域内所有像素点所述指数函数的计算结果均值,将所述均值作为各生长区域的高温贫乏因子;

获取冷却辊热成像图各生长区域的远离冷却辊圆心区及临近冷却辊圆心区;

计算生长区域远离冷却辊圆心区边缘像素点温度均值与临近冷却辊圆心区边缘像素点温度均值的差值,获取以自然常数为底数、以所述差值为指数的指数函数的计算结果;

获取远离冷却辊圆心区各边缘像素点的临近内点,计算远离冷却辊圆心区各边缘像素点与对应临近内点的欧式距离,获取远离冷却辊圆心区所有边缘像素点的所述欧式距离的均值;将所述计算结果与所述均值的乘积作为生长区域的高温扩散因子;

所述熔体温度内因优化指数,包括:

采用大津阈值法获取Cu坩埚熔体热成像图的分割阈值,将温度低于分割阈值的区域作为低温区域;

获取稀土永磁粉真空快淬过程中的标准熔体温度,计算所述标准熔体温度与所述低温区域的温度均值的差值,将以自然常数作为底数、所述差值作为指数的指数函数的计算结果作为熔体温度内因优化指数。

2.如权利要求1所述的基于炉体温度优化的稀土永磁粉制备方法,其特征在于,所述选取稀土永磁粉制备原料硼、氢,稀土元素La,过渡族元素Fe、Cu,包括:所述硼、氢含量为0.75

1.55wt%;所述稀土元素La含量为25.3 36.5wt%;过渡族元素Fe、Cu含量为20 80wt%。

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3.如权利要求1所述的基于炉体温度优化的稀土永磁粉制备方法,其特征在于,所述Cu坩埚熔体的温度为1300℃ 1500℃。

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4.如权利要求1所述的基于炉体温度优化的稀土永磁粉制备方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气。

5.如权利要求1所述的基于炉体温度优化的稀土永磁粉制备方法,其特征在于,所述合金熔液的温度为1380°C‑1400°C。

6.如权利要求1所述的基于炉体温度优化的稀土永磁粉制备方法,其特征在于,所述旋转的冷却辊的表面线速度为30m/s以上。