1.一种氧化铜/硒复合材料薄膜，其特征在于：所述氧化铜/硒复合材料薄膜为CuO和Se的复合物薄膜，且CuO和Se的复合物中存在中间相CuSe2和CuSe中任意一种或两种；该薄膜中Cu元素的原子百分含量为10％～60％，O元素的原子百分含量与Cu元素相同，Se元素的原子百分含量为10％～60％。

2.根据权利要求1所述的氧化铜/硒复合材料薄膜，其特征在于：所述氧化铜/硒复合材料薄膜中Cu元素的原子百分含量为20％～40％，O元素的原子百分含量与Cu元素相同，Se元素的原子百分含量为20％～50％。

3.根据权利要求1或2所述的氧化铜/硒复合材料薄膜，其特征在于：所述氧化铜/硒复合材料薄膜中还掺杂有Si、Fe、Ge中任意一种。

4.根据权利要求3所述的氧化铜/硒复合材料薄膜，其特征在于：所述氧化铜/硒复合材料薄膜中掺杂的Si或Fe或Ge元素的原子百分含量为3％～10％。

5.根据权利要求1所述的氧化铜/硒复合材料薄膜，其特征在于：所述氧化铜/硒复合材料薄膜采用磁控溅射法制备而成，具体制备方法为：采用CuO和Se共溅射的方式在衬底上沉积一层CuO/Se复合材料薄膜，然后在空气或氮气中300～400℃退火1～3分钟，得到氧化铜/硒复合材料薄膜；

或先用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积一层CuO膜，再在CuO膜上热蒸发沉积一层Se膜，接着在空气或氮气中300～400℃退火10～60分钟，得到氧化铜/硒复合材料薄膜。

6.根据权利要求1所述的氧化铜/硒复合材料薄膜，其特征在于：所述氧化铜/硒复合材料薄膜采用化学溶液法制备而成，具体制备方法为：将CuO粉末和Se粉末按摩尔比为1:2～3研磨混合均匀后加入二甲亚砜中，在50～70℃下搅拌6～10小时，所得反应液旋涂于衬底上，然后在150～200℃下退火5～10分钟，制备成氧化铜/硒复合材料薄膜。

7.根据权利要求5或6所述的氧化铜/硒复合材料薄膜，其特征在于：所述的衬底为单晶硅片、普通玻璃、石英玻璃、氧化铟锡导电玻璃、掺氟氧化锡导电玻璃中的任意一种。