1.一种微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述微波介质陶瓷材料，化学式为MgSi1‑xGexO3，其中0.1

步骤(2)、将步骤(1)得到的所述粉料进行造粒、过筛、成型，得到生坯；

步骤(3)、将步骤(2)得到的生坯在1300 1390℃烧结，得到陶瓷；所述烧结工艺包括：以~

2℃/min的速率升温至650℃排胶3h，以5℃/min的速率升温至1300 1390℃烧结5h，以1.5~℃/min的速率降温至600℃后随炉冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述原料在称取前进行预处理操作，所述预处理操作包括：对所述MgO在900℃煅烧3h，所述SiO2和GeO2在称量前需要在80℃烘干24h。

3.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述球磨的时间为24h，转速为220r/min，每隔30min换向。

4.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述预烧工艺包括：升温速率为5℃/min，升温到1250℃预烧3h；以2℃/min的降温速率，降温到800℃；之后随炉降温。

5.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述造粒工艺包括：使用浓度为10wt%的聚乙烯醇水溶液作为粘合剂，所述粘合剂的加入量占步骤（1）得到的粉料质量的10%；所述过筛使用的是40目的标准筛，所述成型采用直径为

12mm的钢制模具，在80 100MPa的压力下压制成高度为3 5mm，直径为12mm的圆柱形坯体。

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6. 根据权利要求1所述的制备方法制得的微波介质陶瓷材料，其特征在于，介电常数为5.8   7.2，Qf值为40,500～140,000GHz@13GHz，谐振频率温度系数为‑52   ‑31 ppm/~ ~℃。

7. 根据权利要求6所述的微波介质陶瓷材料在5G/6G通信领域中的应用，其特征在于，在高频微波频率范围下，所述高频微波频率为13GHz，将所述微波介质陶瓷材料用于器件基板、谐振器、滤波器，所述微波介质陶瓷材料的应用性能参数为：介电常数为5.8   7.2，Qf~值为40,500～140,000GHz@13GHz，谐振频率温度系数为‑52   ‑31 ppm/℃。

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