1.一种环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，其特征在于，包括：衬底；

金属薄膜，形成于所述衬底表面；

若干超表面单元结构，呈周期阵列排布于所述金属薄膜的背离所述衬底的表面；其中，所述超表面单元结构包括短边相对设置的两个L型金属结构，且两个所述L型金属结构之间间距布置；

两个L型金属结构包括第一金属结构和第二金属结构；

所述第一金属结构包括相连接的第一金属条和第二金属条；

所述第二金属结构包括相连接的第三金属条和第四金属条；

其中，所述第二金属条为L型所述第一金属结构的短边，所述第三金属条为L型所述第二金属结构的短边；所述第一金属条与所述第四金属条之间的间距大于所述第二金属条与所述第三金属条之间的间距。

2.根据权利要求1所述的环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，其特征在于，相邻两个所述超表面单元结构之间间距布置。

3.根据权利要求1所述的环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，其特征在于，所述超表面单元结构尺寸为亚波长量级。

4.根据权利要求1所述的环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，其特征在于，所述金属薄膜的材质包括铜，所述金属薄膜的厚度为1.8‑2.2µm。

5.根据权利要求1所述的环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，其特征在于，所述超表面单元结构的材质包括铜，所述超表面单元结构的厚度为28‑32µm。

6.根据权利要求1所述的环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，其特征在于，相邻两个所述超表面单元结构之间横向之间的间距为28‑32µm，纵向的间距为28‑32µm。

7.根据权利要求1所述的环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，其特征在于，所述第一金属条和第四金属条长度为110‑120µm，宽度为19‑21µm。

8.根据权利要求1所述的环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，其特征在于，所述第二金属条和所述第三金属条的长度为38‑42µm，宽度为23‑25µm。

9.根据权利要求1所述的环偶极子激发的高Q值太赫兹超表面传感器，其特征在于，所述第二金属条和所述第三金属条之间的间距为31‑33µm；所述第一金属条和所述第四金属条之间的间距为79‑81µm。