1.一种GaNHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于，其方法包括如下步骤：

S1：提前准备好GaN基片、金属电极材料和绝缘层材料，并将GaN基片进行清洗和平整度处理；

S2：选择金属有机分解物，将金属有机分解物注入反应炉中，让反应炉的温度保持在

800℃到1100℃之间，气体流量在60到400立方厘米每分钟，再加入金属电极材料，使得金属有机分解物在GaN基片表面成核和生成高质量的GaNHEMT晶体管层，接着对GaNHEMT晶体管层进行化学、物理处理；

S3：采用MA6光刻机对形成HEMT器件的源极和漏极进行光刻，再取出残余胶体，加入绝缘层材料，便于后续操作的进行，随后，采用ICP干法刻蚀方法对源极和漏极等电机结构进行刻蚀，设定ICP刻蚀气体为三氯化硼和二氧化氯，流量均为15到25sccm，腔室压强为0.6到

1Pa，ICP功率比偏置功率为150:50W，在光刻处理后，形成的金属沉积与GaN基片形成电子迁移通道，进而实现对GaNHEMT振荡器芯片的制备；

S4：将GaNHEMT振荡器芯片封装在封装材料中，并进行测试，用于检测GaNHEMT环形振荡器接触效果如何，主要的考量器件的因素为：接触电阻R和方块电阻P，采用传输线模型法测量TLM，图形每个电极都具有相同的尺寸，图形的宽度为W，相邻两个电极间距d也需要保持一定的规律性，TLM测试时，采用四探针法进行测试，可以消除探针与导线电阻的影响，提高测量精度，其中相邻两个电极之间的测试电阻R1为：R1=Pd/W+2R/W。

2.根据权利要求1所述的一种GaNHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于：所述步骤S1中，金属电极材料包含有铝、镍；绝缘层材料包含有硅氧化物和氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种GaNHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于：所述步骤S2中，化学、物理处理如下：S2.1：脱火处理，向GaNHEMT晶体管层引入氨气保护气氛，防止晶体管层表面受到外界环境的污染和氧化，还可以降低晶体管层的热应力和应力影响，提高晶体管层的可控性和稳定性，考虑到GaN基片的热稳定性和材料特性，将退火温度调至600℃到900℃；

S2.2：清洁处理，向GaNHEMT晶体管层表面喷洒氢氧化铵溶液和表面活性剂溶液，首先氢氧化铵溶液，可以综合GaNHEMT晶体管层表面的有机物、杂质和氧化物，接着表面活性剂溶液，用于去除GaNHEMT晶体管层表面油脂和有机污染物，用于提高GaNHEMT晶体管层表面的电学性能和界面质量；

S2.3：金属化，金属有机分解物在作用时，也能采用金属沉淀的方式，形成HEMT器件的源极和漏极有源区，以形成电极连接和导电功能；

S2.4：使用光刻胶机，在晶体管层上形成掩膜图案，用于定义电路结构和器件连接，进一步采用刻蚀方式，对HEMT器件进行电气隔离，使其用于独立的器件功能，为了保证彻底性，也可采用刻蚀方式，将HEMT源漏区上方的SiN钝化层去掉。

4.根据权利要求3所述的一种GaNHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于：所述步骤S2.4中，在进行掩膜制备前，将晶体管层进行平整化处理，提高晶体管层表面质量，以便更好保证掩膜的制备质量。

5.根据权利要求1所述的一种GaNHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于：所述步骤S2中，气体包含有三甲基氮化铝、氨气和混合气体等。

6.根据权利要求1所述的一种GaNHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于：所述步骤S3中，使用氧离子体取出残留胶体，通过氧离子与胶体反应，使其转化为易于清除的气体。

7.根据权利要求1所述的一种GaNHEMT环形振荡器的制作方法，其特征在于：所述步骤S4中，测试电阻R1和电机宽度W呈正比，并随着GaNHEMT环形振荡器中的方块电阻P、金属电极与接触电阻R、量电极间距d增加而增加。

8.一种GaNHEMT环形振荡器，其特征在于：所述环形振荡器包括GaN基片（1）、金属电极层（2）、GaNHEMT晶体管层（3）、保护层（4）、绝缘层（5）、源极（6）和漏极有源区（7），所述金属电极层（2）形成于GaN基片（1）的上层，所述GaNHEMT晶体管层（3）形成于金属电极层（2）的上层，所述保护层（4）形成于GaNHEMT晶体管层（3）的上层，所述绝缘层（5）形成于保护层（4）的上层，且绝缘层（5）由硅氧化物和氧化硅制成，所述（6）和漏极有源区（7）形成于环形振荡器的内部，且（6）和漏极有源区（7）嵌入延伸至GaN基片（1）的内部。