1.一种IGBT超音频逆变功率单元，其特征在于，包括薄膜电容（9）、水冷板（4）和单元箱壳体（7），所述薄膜电容（9）整齐的摆放在功率单元箱壳体（7）内后方底部，薄膜电容（9）上方连接母排（6），所述母排（6）上方固定绝缘板（11），所述绝缘板（11）上固定驱动板（2）和电源板（3），所述水冷板（4）置于单元箱壳体（7）前方底部，水冷板（4）上固定IGBT功率模块（5），所述IGBT功率模块（5）两端均接阻容吸收电阻（10），所述阻容吸收电阻（10）上均接吸收电容（8），功率单元为单相H桥结构，2个IGBT功率模块为一组，每一组IGBT功率模块（5）上下两个桥臂的中点输出为交流输出的一个端，形成1个交流输出排（1）。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT超音频逆变功率单元，其特征在于，所述IGBT功率模块（5）为2组。