1.一种避免引脚变形的MOS芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基体、MOS芯片、基板、源极引脚、栅极引脚和定位座，所述基板设置在封装基体的背面并向上延伸，所述MOS芯片设置在基板的正面并位于封装基体中，所述定位座设置在封装基体中并位于基板的下方，所述基板底部设置有向下延伸至封装基体下方并贯穿定位座的漏极引脚，所述源极引脚设置在MOS芯片的源极上并向下贯穿定位座，所述栅极引脚设置在MOS芯片的栅极上并向下贯穿定位座，所述定位座上设置有定位孔。

2.根据权利要求1所述的避免引脚变形的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述封装基体采用绝缘塑胶封装基体。

3.根据权利要求1所述的避免引脚变形的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述定位孔中设置有散热套。

4.根据权利要求1所述的避免引脚变形的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述定位座的厚度与封装基体的厚度相同。

5.根据权利要求1所述的避免引脚变形的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述定位座中设置有与漏极引脚对应的第一插槽。

6.根据权利要求1所述的避免引脚变形的MOS芯片封装结构，其特征在于，所述定位座中设置有与源极引脚对应的第二插槽以及与栅极引脚对应的第三插槽。