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专利号: 2023217173286
申请人: 德兴市意发功率半导体有限公司
专利类型:实用新型
专利状态:已下证
更新日期:2026-05-14
缴费截止日期: 暂无
联系人

摘要:

权利要求书:

1.一种MOS芯片焊接定位结构,其特征在于,包括:MOS芯片、铜夹、基板和定位块,所述铜夹包括第一铜夹和第二铜夹,所述MOS芯片设置在基板的正面,所述第一铜夹设置在MOS芯片的源极上并向基板的前端外侧延伸,所述第二铜夹设置在MOS芯片的栅极上并向基板的前端外侧延伸,所述定位块设置在基板上并与第一铜夹及第二铜夹一一对应进行定位。

2.根据权利要求1所述的MOS芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块分别位于对应的铜夹的延伸路径上。

3.根据权利要求1所述的MOS芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块中分别设置有与铜夹对应的插槽。

4.根据权利要求1所述的MOS芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块分别采用绝缘陶瓷块。

5.根据权利要求1所述的MOS芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块的底部设置有与基板连接的胶黏剂。

6.根据权利要求1所述的MOS芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位块的底部设置有向下插入基板的定位柱,所述基板上设置有与定位柱对应的定位孔。

7.根据权利要求6所述的MOS芯片焊接定位结构,其特征在于,所述定位柱与定位孔过盈配合。