1.一种Bipolar工业基准电源芯片，其特征在于，包括：

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管；

第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容以及第二电容；

所述第一晶体管的基极用于输入第一基准电压；所述第一晶体管的集电极连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第二端连接所述第二晶体管的发射极；所述第二晶体管的基极连接所述第三晶体管的基极；所述第二晶体管的基极连接所述第二晶体管的集电极；所述第三晶体管的发射极连接所述第二电阻的第一端；所述第二电阻的第二端连接所述第一电阻的第一端与所述第一电容的第一端；

所述第三晶体管的集电极连接所述第一电容的第二端、所述第十三晶体管的集电极、所述第十二晶体管的集电极以及所述第五晶体管的基极；所述第四晶体管的发射极连接所述第一晶体管的基极；所述第四晶体管的集电极连接所述第三晶体管的集电极；所述第四晶体管的集电极连接所述第四晶体管的基极；所述第五晶体管的发射极连接所述第三电阻的第一端，所述第三电阻的第二端连接所述第六晶体管的基极与所述第四电阻的第一端；

所述第四电阻的第二端连接所述第六晶体管的发射极；所述第六晶体管的集电极连接所述第五晶体管的集电极与所述第七晶体管的集电极；所述第七晶体管的发射极连接所述第四电阻的第二端；所述第七晶体管的基极连接所述第七晶体管的发射极；所述第五晶体管的集电极连接所述第一电容的第一端；所述第四电阻的第二端还连接所述第十三晶体管的发射极；所述第十三晶体管的发射极连接所述第十二晶体管的发射极；所述第十三晶体管的基极连接所述第十三晶体管的发射极；

所述第十二晶体管的基极连接所述第十电阻的第一端；

所述第二晶体管的集电极连接所述第八晶体管的集电极；所述第八晶体管的发射极连接所述第六电阻的第一端；所述第六电阻的第二端连接所述第九晶体管的集电极；所述第二电容的第一端与所述第二电容的第二端分别连接于所述第九晶体管的集电极与基极；所述第一晶体管的发射极连接所述第八晶体管的基极与所述第五电阻的第一端；所述第五电阻的第二端连接所述第七电阻的第一端与所述第八电阻的第一端；所述第八电阻的第二端连接所述第十一晶体管的集电极；所述第十一晶体管的发射极连接所述第九电阻的第一端；所述第八电阻的第二端连接所述第九晶体管的基极；所述第七电阻的第二端连接所述第十晶体管的集电极；所述第十晶体管的集电极连接所述第十晶体管的基极；所述第十晶体管的基极还连接所述第十一晶体管的基极；

所述第十晶体管的基极与所述第十一晶体管的基极之间的结点连接所述第十电阻的第二端；所述第十晶体管的发射极连接所述第九电阻的第二端、所述第九晶体管的发射极以及所述第十二晶体管的发射极；所述第十晶体管的发射极接地；所述第一晶体管的集电极、所述第一电阻、所述第二电阻、所述第三电阻、所述第四电阻、所述第五电阻、所述第六电阻、所述第七电阻、所述第八电阻、所述第九电阻以及所述第十电阻的中位端均连接控制端；

所述Bipolar工业基准电源芯片用于控制所述控制端与第一电压输入端之间的电压稳定；其中，所述第一电压输入端用于输入所述第一基准电压。

2.根据权利要求1所述的Bipolar工业基准电源芯片，其特征在于，当在所述第一电压输入端输入5～36V的电压时，经过一1KΩ的电阻，通过所述第一晶体管的基极进入所述Bipolar工业基准电源芯片中后，Bipolar工业基准电源芯片用于使得所述控制端和所述第一电压输入端之间的电压稳定在2.5V。

3.根据权利要求2所述的Bipolar工业基准电源芯片，其特征在于，所述第一晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管、所述第十二晶体管、所述第十三晶体管为NPN型三极管；所述第二晶体管与所述第三晶体管为PNP型三极管。

4.一种Bipolar工业基准电源电路，其特征在于，包括权利要求1‑3任一项所述的Bipolar工业基准电源芯片；所述Bipolar工业基准电源电路还包括：第十一电阻；所述第十一电阻的第一端连接所述第一电压输入端；所述第十一电阻的第二端用于输入第一输入电压。

5.根据权利要求4所述Bipolar工业基准电源电路，其特征在于，所述第十一电阻的阻值为1KΩ。

6.根据权利要求5所述Bipolar工业基准电源电路，其特征在于，当所述第一基准电压为5～36V时，其中，所述Bipolar工业基准电源芯片用于控制所述控制端与所述第一电压输入端之间的电压稳定在2.5V。

7.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求4‑6任一项所述的Bipolar工业基准电源电路。