1.一种基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路，其特征在于，包括：第一逆变模块、第二逆变模块、第一缓冲模块以及第一电阻；

所述第一逆变模块的第一端用于输入第一输入信号；所述第一逆变模块的第二端连接第二逆变信号的输入端；所述第一逆变模块用于根据接收到的第一输入信号产生第一电压信号，并将所述第一电压信号发送给所述第二逆变模块；

所述第二逆变模块的第二端连接所述第一缓冲模块的第一端；所述第二逆变模块用于根据接收到的所述第一电压信号产生第二电压信号，并将所述第二电压信号发送给所述第一缓冲模块；

所述第一逆变模块的第三端、所述第二逆变模块的第三端以及所述第一缓冲模块的第三端连接工作电压的正输出端；

所述第一逆变模块的第四端、所述第二逆变模块的第四端以及第三逆变模块的第四端连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第一端连接工作电压的负输出端；所述第一电阻的第二端连接所述第一逆变模块的输入端；

所述第一缓冲模块的输出端用于输出第一驱动信号。

2.如权利要求1所述的基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路，其特征在于，第一逆变模块包括：第一NPN三极管、第二NPN三极管、第三NPN三极管、第四NPN三极管、第二电阻、第三电阻第四电阻；

所述第二电阻的第一端连接所述第一电阻的第二端，且用于输入所述第一输入信号，所述第二电阻的第二端连接所述第一NPN三极管的基极；

所述第一NPN三极管的集电极连接所述第二NPN三极管的基极与所述第三电阻的第一端；

所述第三电阻的第二端连接所述第二NPN三极管的集电极；所述第二NPN三极管的发射极连接所述第三NPN三极管的发射极；所述第三NPN三极管的基极极连接所述第三NPN三极管的发射极；

所述第三NPN三极管的集电极连接所述第四NPN三极管的集电极；

所述第一NPN三级管的发射极连接所述第四NPN三极管的基极与所述第四电阻的第一端；所述第四电阻的第二端连接所述第四NPN三极管的发射极；

所述第四电阻的第二端连接所述工作电压的负输出端；所述第三电阻的第二端连接所述工作电压的正输出端；

所述第三NPN三极管的集电极与所述第四NPN三级管的集电极之间的结点连接所述第二逆变模块的第一端。

3.如权利要求2所述的基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路，其特征在于，第二逆变模块包括：第五NPN三极管、第六NPN三极管、第七NPN三极管、第八NPN三极管、第五电阻、第六电阻第七电阻；

所述第五电阻的第一端连接所述第三NPN三极管的集电极与所述第四NPN三级管的集电极之间的结点；所述第五电阻的第二端连接所述第五NPN三极管的基极；

所述第五NPN三极管的集电极连接所述第六NPN三极管的基极与所述第六电阻的第一端；

所述第六电阻的第二端连接所述第六NPN三极管的集电极；所述第六NPN三极管的发射极连接所述第七NPN三极管的发射极；所述第七NPN三极管的基极连接所述第七NPN三极管的发射极；

所述第七NPN三极管的集电极连接所述第八NPN三极管的集电极；

所述第五NPN三级管的发射极连接所述第八NPN三极管的基极与所述第七电阻的第一端；所述第七电阻的第二端连接所述第八NPN三极管的发射极；

所述第七电阻的第二端连接所述工作电压的负输出端；所述第六电阻的第二端连接所述工作电压的正输出端；

所述七NPN三极管与所述第八NPN三极管之间的结点连接所述第一缓冲模块的第一端。

4.如权利要求3所述的基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路，其特征在于，所述第一缓冲模块包括：第九NPN三极管、第十NPN三极管、第一PNP三极管、第二PNP三极管以及第八电阻；

所述第八电阻的第一端连接所述第七NPN三极管与所述第八NPN三极管之间的结点；所述第八电阻的第二端连接所述九NPN三极管的基极与所述第一PNP三极管的基极；所述第九NPN三极管的发射极连接所述第一PNP三极管的发射极；所述第九NPN三极管的发射极与所述第一PNP三极管的发射极之间的结点连接所述第十NPN三极管的基极与所述第二PNP三极管的基极；其中，所述第十PNP三极管的发射极连接所述第十NPN三极管的基极；所述第十NPN三极管的集电极连接所述第二PNP三极管的发射极；所述第二PNP三极管的集电极连接所述第一PNP三极管的集电极；所述第十NPN三极管的集电极与所述第二PNP三极管的发射极之间的结点用于输出所述第一驱动信号；

所述第九NPN三极管的集电极连接第一工作电压的正输出端；所述第一PNP三极管的集电极连接所述第一工作电压的负输出端。

5.一种驱动芯片，其特征在于，包括权利要求1‑4任一项所述的基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路。

6.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求5所述的驱动芯片。