1.一种改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：对光刻芯片表面进行表面预处理，以得到光刻芯片粘附强化表面；对光刻芯片粘附强化表面进行憎水烘干处理，得到光刻芯片粘附憎水性表面；对光刻芯片粘附憎水性表面进行多层光刻胶涂覆封装处理，得到芯片光刻胶涂覆封装层；其中，步骤S1包括以下步骤：步骤S11：对光刻芯片表面进行杂质微粒检测，得到芯片表面杂质微粒分布信息；

步骤S12：根据芯片表面杂质微粒分布信息对光刻芯片表面进行微粒清除处理，得到光刻芯片微粒清除表面；

步骤S13：利用表面活性试剂对光刻芯片微粒清除表面进行活性激活处理，得到光刻芯片活性表面；

步骤S14：利用等离子体处理技术对光刻芯片活性表面进行粘附均匀强化处理，以得到光刻芯片粘附强化表面；

步骤S15：对光刻芯片粘附强化表面进行憎水烘干处理，得到光刻芯片粘附憎水性表面；

步骤S16：对光刻芯片粘附憎水性表面进行多层光刻胶涂覆封装处理，得到芯片光刻胶涂覆封装层；其中，步骤S16包括以下步骤：步骤S161：利用化学改性技术对光刻芯片粘附憎水性表面进行润湿改性控制，以得到光刻芯片润湿改性表面；

步骤S162：通过引入光刻胶涂布机，并利用涂胶膜厚控制计算公式对光刻胶涂布机进行膜厚控制计算，以得到光刻胶涂覆膜厚控制值；

其中，涂胶膜厚控制计算公式如下所示：

；

式中， 为在时间 处的光刻胶涂覆膜厚控制值，为膜厚控制计算的时间变量参数，为膜厚控制计算的时间积分变量参数， 为光刻胶涂布机的初始涂胶膜厚参数， 为光刻胶涂布机的涂胶速度控制参数， 为光刻胶涂布机的涂胶时间衰减系数， 为光刻胶涂布机的涂胶频率振荡参数， 为光刻胶涂布机的涂胶时间高斯分布振幅参数，为光刻胶涂布机的涂胶时间高斯分布均值，为光刻胶涂布机的涂胶时间高斯分布标准差，为光刻胶涂覆膜厚控制值的修正值；

步骤S163：基于光刻胶涂覆膜厚控制值利用光刻胶涂布机对光刻芯片润湿改性表面进行多层光刻胶涂覆封装处理，得到芯片光刻胶涂覆封装层；

步骤S2：对芯片光刻胶涂覆封装层进行掩膜成像辅助对位，得到光刻胶封装掩膜对位图像；对光刻胶封装掩膜对位图像进行驻波消除曝光处理，以得到光刻胶封装驻波消除曝光图像；

步骤S3：对光刻胶封装驻波消除曝光图像进行显影固化处理，得到光刻胶封装显影固化图像；对光刻胶封装显影固化图像进行缺陷监测，得到光刻胶封装显影缺陷数据；

步骤S4：对光刻胶封装显影缺陷数据进行封装缺陷改善匹配，以生成光刻胶封装缺陷改善策略；根据光刻胶封装缺陷改善策略执行相应的光刻胶封装缺陷改善作业。

2.根据权利要求1所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，步骤S15包括以下步骤：步骤S151：利用表面亲水程度计算公式对光刻芯片粘附强化表面进行亲水计算，以得到光刻芯片表面亲水程度值；

步骤S152：根据预设的表面亲水程度阈值对光刻芯片表面亲水程度值进行比较判断，当光刻芯片表面亲水程度值大于或等于预设的表面亲水程度阈值时，则将该光刻芯片表面亲水程度值对应的光刻芯片粘附强化表面判定为光刻芯片亲水性表面；当光刻芯片表面亲水程度值小于预设的表面亲水程度阈值时，则将该光刻芯片表面亲水程度值对应的光刻芯片粘附强化表面判定为光刻芯片厌水性表面；

步骤S153：确定光刻芯片粘附强化表面为光刻芯片亲水性表面时，对光刻芯片亲水性表面进行加热范围划分处理，得到低温温度范围、中温温度范围以及高温温度范围；当加热范围处于低温温度范围时，对光刻芯片亲水性表面进行低温蒸发处理，得到芯片亲水低温蒸发区域；当加热范围处于中温温度范围时，对芯片亲水低温蒸发区域进行中温分子清除处理，得到芯片亲水中温分子清除区域；当加热范围处于高温温度范围时，对芯片亲水中温分子清除区域进行高温烘干处理，得到芯片亲水高温憎水恢复区域；

步骤S154：确定光刻芯片粘附强化表面为光刻芯片厌水性表面时，对光刻芯片厌水性表面进行增粘烘干处理，得到芯片厌水增粘憎水恢复区域；

步骤S155：对芯片亲水高温憎水恢复区域以及芯片厌水增粘憎水恢复区域进行区域合并，得到光刻芯片粘附憎水性表面。

3.根据权利要求2所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，步骤S151中的表面亲水程度计算公式具体为：；

；

式中， 为光刻芯片表面亲水程度值，为光刻芯片粘附强化表面的表面积参数，为光刻芯片粘附强化表面的表面区域范围参数，为光刻芯片粘附强化表面的空间坐标参数，为光刻芯片粘附强化表面在空间坐标 处的表面张力参数，为梯度运算符，为表面张力梯度项的亲水影响度量参数，为表面张力曲率的亲水影响度量参数，为光刻芯片粘附强化表面的温度参数，为温度衰减系数，为温度衰减项的亲水影响度量参数，为光刻芯片粘附强化表面的表面介质分布范围参数，为光刻芯片粘附强化表面的表面介质分布位置参数， 为表面介质分布函数，为表面介质分布归一化系数，为表面介质分布均值，为表面介质分布标准差，为光刻芯片表面亲水程度值的修正值。

4.根据权利要求1所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，步骤S2包括以下步骤：步骤S21：对芯片光刻胶涂覆封装层进行封装交叉连接，以得到芯片光刻胶封装交叉连接结构；

步骤S22：利用光学成像技术对芯片光刻胶封装交叉连接结构进行掩膜成像辅助对位，得到光刻胶封装掩膜对位图像；

步骤S23：对光刻胶封装掩膜对位图像进行驻波效应曝光划分，以得到光刻胶封装驻波非曝光图像区域以及光刻胶封装驻波曝光图像区域；

步骤S24：对光刻胶封装驻波曝光图像区域进行边缘曝光调整，得到光刻胶封装驻波曝光边缘调整区域；

步骤S25：对光刻胶封装驻波非曝光图像区域以及光刻胶封装驻波曝光边缘调整区域进行驻波消除软烘烤处理，以得到光刻胶封装驻波消除曝光图像。

5.根据权利要求1所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，步骤S3包括以下步骤：步骤S31：对光刻胶封装驻波消除曝光图像进行非必要区域检测，以得到光刻胶非必要图像区域；

步骤S32：通过光刻显影液对光刻胶非必要图像区域内的光刻胶进行显影溶解处理，得到光刻胶非必要显影溶解图像；

步骤S33：对光刻胶非必要显影溶解图像进行硬烘烤固化处理，得到光刻胶封装显影固化图像；

步骤S34：对光刻胶封装显影固化图像进行图像去噪处理，得到光刻胶封装显影去噪图像；

步骤S35：对光刻胶封装显影去噪图像进行对比度增强处理，得到光刻胶封装显影对比度标准图像；

步骤S36：对光刻胶封装显影对比度标准图像进行缺陷监测，得到光刻胶封装显影缺陷数据。

6.根据权利要求5所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，步骤S36包括以下步骤：步骤S361：对光刻胶封装显影对比度标准图像进行异常检测处理，以得到光刻胶封装显影图像异常数据；

步骤S362：对光刻胶封装显影图像异常数据进行异常缺陷评估分析，得到光刻胶封装显影异常缺陷因子；

步骤S363：根据光刻胶封装显影异常缺陷因子对光刻胶封装显影对比度标准图像进行缺陷监测，得到光刻胶封装显影缺陷数据。

7.根据权利要求1所述的改善光刻胶封装工艺的方法，其特征在于，步骤S4包括以下步骤：步骤S41：对光刻胶封装显影缺陷数据进行缺陷模式学习处理，得到光刻胶封装缺陷模式数据；

步骤S42：利用智能分类算法对光刻胶封装缺陷模式数据进行缺陷分类处理，得到光刻胶封装缺陷类型数据；

步骤S43：通过预设的光刻胶封装显影缺陷改善知识库对光刻胶封装缺陷类型数据进行封装缺陷改善匹配，以生成光刻胶封装缺陷改善策略；

步骤S44：根据光刻胶封装缺陷改善策略执行相应的光刻胶封装缺陷改善作业。

8.一种改善光刻胶封装工艺的系统，其特征在于，用于执行如权利要求1所述的改善光刻胶封装工艺的方法，该改善光刻胶封装工艺的系统包括：光刻芯片涂覆封装处理模块，用于对光刻芯片表面进行表面预处理，以得到光刻芯片粘附强化表面；对光刻芯片粘附强化表面进行憎水烘干处理，得到光刻芯片粘附憎水性表面；对光刻芯片粘附憎水性表面进行多层光刻胶涂覆封装处理，从而得到芯片光刻胶涂覆封装层；

光刻胶掩膜曝光处理模块，用于对芯片光刻胶涂覆封装层进行掩膜成像辅助对位，得到光刻胶封装掩膜对位图像；对光刻胶封装掩膜对位图像进行驻波消除曝光处理，以得到光刻胶封装驻波消除曝光图像；

光刻胶显影缺陷监测模块，用于对光刻胶封装驻波消除曝光图像进行显影固化处理，得到光刻胶封装显影固化图像；对光刻胶封装显影固化图像进行缺陷监测，从而得到光刻胶封装显影缺陷数据；

光刻胶封装缺陷改善模块，用于基于光刻胶封装显影缺陷数据对光刻胶封装显影固化图像进行封装缺陷改善处理，以生成光刻胶封装缺陷改善策略；根据光刻胶封装缺陷改善策略执行相应的光刻胶封装缺陷改善作业。