1.一种光刻系统，其特征在于包括：

光源，被配置为提供光；

掩膜板，具有预定图案并被配置为基于预定图案遮挡光的至少一部分；

透镜，被配置为用经遮挡的光投影出预定图案的像；和

衬底台，被配置为支撑衬底，并使得预定图案的像被投影到衬底上的光刻胶中，其中，预定图案至少包括第一图案和第二图案，第一图案和第二图案能够分别被透镜投影并且在被投影时具有不同的像距，并且衬底台被配置为在透镜的光轴方向上移动衬底，使得第一图案的像在光刻胶中的深度与第二图案的像在光刻胶中的深度之差小于第一图案与第二图案的像距之差。

2.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，第一图案和第二图案具有不同的厚度。

3.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，第一图案和第二图案具有不同的线条尺寸。

4.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，衬底台垂直于透镜的光轴方向延伸，并且被配置为能够沿透镜的光轴方向移动。

5.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，衬底台相对于透镜的光轴方向倾斜延伸，并且被配置为能够沿倾斜方向移动。

6.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于还包括像距确定设备，用于确定至少第一图案和第二图案在被投影时的像距。

7.根据权利要求6所述的光刻系统，其特征在于，像距确定设备确定第一图案和第二图案的形貌，并基于所确定的形貌来确定第一图案和第二图案在被投影时的像距。

8.根据权利要求7所述的光刻系统，其特征在于，第一图案和第二图案的形貌包括第一图案和第二图案的厚度和线条尺寸中的至少一个。

9.一种光刻方法，其特征在于包括以下步骤：

用光照射掩膜板上的第一图案并用透镜将第一图案投影到衬底上的光刻胶中以形成第一图案的像，用光照射掩膜板上的第二图案并用透镜将第二图案投影到衬底上的光刻胶中以形成第二图案的像，其中，在用光照射第一图案的步骤和用光照射第二图案的步骤之间，还包括以下步骤：根据第一图案和第二图案在被透镜投影时各自的像距，在透镜的光轴方向上移动支撑衬底的衬底台，使得在第一图案被投影时第一图案的像在光刻胶中的深度与在第二图案被投影时第二图案的像在光刻胶中的深度之差小于第一图案与第二图案的像距之差。

10.根据权利要求9所述的光刻方法，其特征在于，第一图案和第二图案具有不同的厚度。

11.根据权利要求9所述的光刻方法，其特征在于，第一图案和第二图案具有不同的线条尺寸。

12.根据权利要求9所述的光刻方法，其特征在于，衬底台垂直于透镜的光轴方向延伸，并且在透镜的光轴方向上移动支撑衬底的衬底台的步骤包括沿透镜的光轴方向移动衬底台。

13.根据权利要求9所述的光刻方法，其特征在于，衬底台相对于透镜的光轴方向倾斜延伸，并且在透镜的光轴方向上移动支撑衬底的衬底台的步骤包括沿倾斜方向移动衬底台。

14.根据权利要求9所述的光刻方法，其特征在于还包括：确定掩膜板上的至少第一图案和第二图案在被透镜投影时各自的像距。

15.根据权利要求14所述的光刻方法，其特征在于，确定掩膜板上的至少第一图案和第二图案的像距的步骤包括：确定第一图案和第二图案的形貌，和

基于第一图案和第二图案的形貌来确定第一图案与第二图案在被投影时的像距。

16.根据权利要求15所述的光刻方法，其特征在于，第一图案和第二图案的形貌包括第一图案和第二图案的厚度和线条尺寸中的至少一个。