1.一种无级变速器用钢带组件中金属钢环，其特征在于，所述的金属钢环由带状且双面具有激光织构化图案的通用18Ni系列马氏体时效钢焊接成圆环状，再通过磁控溅射在圆环的内壁和外壁上沉积（CoCrFeNiAlXTa）Y NZ高熵合金薄膜制成；

磁控溅射的温度为500℃；

（CoCrFeNiAlXTaY）NZ中，X、Y、Z代表原子比，X=0.3‑0.9、Y=0.4‑0.8、Z=0.3‑0.5，Co、Cr、Fe、Ni为等原子比1。

2.如权利要求1所述的无级变速器用钢带组件中金属钢环，其特征在于，通用18Ni系列马氏体时效钢的成分质量百分比如下：镍16‑19%，钴10‑13%，钼4‑6%，钛1‑2%，铝＜0.2%，碳＜0.02%，硅＜0.01%，硫＜0.001%，磷＜0.001%，余量为铁。

3.如权利要求1所述的无级变速器用钢带组件中金属钢环，其特征在于，激光织构化图案为：沟槽形、圆形或菱形。

4.如权利要求1所述的无级变速器用钢带组件中金属钢环，其特征在于，

（CoCrFeNiAlXTa）Y NZ高熵合金薄膜的厚度为4‑6μm。

5.如权利要求1所述的无级变速器用钢带组件中金属钢环的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）利用激光在带状通用18Ni系列马氏体时效钢的两个表面制备织构化图案；

（2）将经过步骤（1）处理的带状通用18Ni系列马氏体时效钢焊接成金属钢环；

（3）通过磁控溅射在步骤（2）所得金属钢环的内壁和外壁上沉积（CoCrFeNiAlXTaY）NZ高熵合金薄膜。

6.如权利要求5所述的无级变速器用钢带组件中金属钢环的制备方法，其特征在于，步骤（1）的操作方法如下：

使用碳化硅砂纸，依次按320＃、600＃、1000＃、1500＃和2000＃的顺序，对带状通用

18Ni系列马氏体时效钢的表面进行打磨，打磨结束后置于丙酮中超声震荡15min，洗去表面的杂质，再置于无水乙醇中超声震荡15min，洗去残留的丙酮溶液，最后取出干燥；把经过前处理的带状通用18Ni系列马氏体时效钢固定在激光加工工作平台上，打开激光器开关，输入激光器工艺参数：激光功率60‑80W、扫描速度5‑20mm/s、光斑直径10‑30μm、脉冲宽度0.2‑

0.6ms、脉冲频率15‑30Hz、扫描次数2‑4次；在钢材的两个表面加工出织构化图案，织构尺寸为宽度10‑40μm、深度5‑20μm、织构间间距100‑300μm，织构占比面积20‑40%，加工结束后，取出钢材，关闭激光器开关。

7.如权利要求5所述的无级变速器用钢带组件中金属钢环的制备方法，其特征在于，步骤（2）中焊接采用激光焊接或氩弧焊。

8.如权利要求5所述的无级变速器用钢带组件中金属钢环的制备方法，其特征在于，步骤（3）中磁控溅射的设备包括：腔体、机架、基片加热自转台、磁控靶、真空抽气系统、冷却水机组及计算机控制平台；其中，腔体安装在机架上并与位于机架内的真空抽气系统相连，在腔体内壁上均布有多个磁控靶和磁控靶挡板，在腔体外壁上分布有多个气体通道；基片加热自转台安装在腔体内部，该自转台分为样品台和自转盘上下两部分；样品台包括滚轮、旋转电机、转动轴、可调节连接杆及样品台底座，连接杆底端与自转盘相连，顶端与样品台底座相连，且可以通过调节连接杆的弧度来调节样品台位置方向和角度；样品台底座上布有两个圆形孔，用于连接转动轴，转动轴上连接旋转电机和滚轮，旋转电机外设有隔热盒，滚轮内部设有加热装置，样品置于两个滚轮上，通过旋转电机驱动滚轮旋转带动样品做旋转运动；自转盘上环形阵列布置有多个用于安装样品台连接杆的安装位；真空抽气系统包括机械泵及分子泵；冷却水机组上布有分子泵冷却水进水口、分子泵冷却水出水口、磁控靶冷却水进水口及磁控靶冷却水出水口，用于给磁控靶及分子泵起降温作用；计算机控制平台控制基片加热自转台中的加热装置及自转盘自转。

9.如权利要求8所述的无级变速器用钢带组件中金属钢环的制备方法，其特征在于，在金属钢环的内壁和外壁上沉积（CoCrFeNiAlXTa）Y NZ高熵合金薄膜的方法如下：将具有织构形貌的金属钢环放入无水乙醇中超声清洗15min，洗去表面残留的杂质，用吹风机吹干；将CoCrFeNi高熵合金靶、Ta靶、Al靶置于磁控靶上，将清洗后的金属钢环装于样品台的两个滚轮上，调整连接杆角度并固定，确保金属钢环垂直于磁控靶，使靶材中溅射出的原子能沉积至金属钢环内外表面；装样结束后，关闭腔体室门，关闭放气阀；打开机械泵及抽气阀，抽真空至8.0Pa以下，关闭抽气阀；打开冷却水机组开关，打开分子泵及闸板‑3阀，抽真空至3.0×10 Pa以下；利用闸板阀将气压调至0.8‑1Pa之间；打开计算机控制平台上的加热开关，自转开关及旋转开关，基底温度为500℃，自转盘转速为10‑20r/min，滚轮转速为5‑10r/min；打开氩气阀开关，氩气流量为10‑30sccm；打开偏压开关，偏压为80‑120V；

依次进行CoCrFeNi合金靶、Al靶及Ta靶的起辉，起辉成功后，将CoCrFeNi合金靶沉积功率调至150 W，Al靶沉积功率调至30‑90W之间，Ta靶沉积功率调至40‑80 W之间，对靶材进行预溅射，溅射时长为10min，除去靶材表面污染物；打开氮气阀开关，氮气流量为10‑20sccm；打开磁控靶挡板，对金属钢环进行（CoCrFeNiAlXTaY）NZ高熵合金薄膜溅射，溅射时长为140‑

220min；薄膜沉积结束后，依次关闭磁控靶功率，磁控靶挡板，氮气阀，氩气阀，加热和自转开关，闸板阀，分子泵，机械泵，冷却水机组；在真空环境下冷却至25℃，打开放气阀使腔体放气至大气压，打开腔体室门，取出内外表面沉积了（CoCrFeNiAlXTaY）NZ高熵合金薄膜的金属钢环。