1.一种球栅阵列封装芯片热应力仿真方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、建立球栅阵列封装模型：基于有限元分析方法，建立芯片焊点力学本构模型，通过芯片焊点力学本构模型，反映非弹性应变与施加荷载的关系；

S2、确定芯片焊点应力应变响应：单个芯片最外侧焊点受到的应力最大，内部焊点的应力小于最外侧焊点，整个应力变化呈现出从外侧向内部逐渐减少的趋势；利用此种应力变化仿真出实际芯片焊点失效范围和趋势；当焊点产生疲劳裂纹时，其等效静力分布更为明显，将该位置标记为危险点，危险点内部具有温度差异，随着环境载荷变化，危险点产生较大的结构应力，等效应力处于波动状态；

S3、封装芯片热应力仿真：模拟热应力变化，以此预测焊点在热循环下的疲劳寿命；在球栅阵列封装加载时，考虑结构的对称性，在基板和芯片外侧施加对称位移约束，中心施加主应力方向的位移约束；热循环过程中，封装局部位置产生集中应力应变；计算各焊点应力应变，随着循环周期的增加，得出整体变化趋势，与相同条件下的剪切性能进行对比，以此完成热应力变化过程。

2.根据权利要求1所述的球栅阵列封装芯片热应力仿真方法，其特征在于，所述S1具体包括以下步骤：采用粘塑性本构方程，计算芯片焊点变形量；设定变形阻抗为变量参数，表征焊点材料在热应力过程中的平均阻抗，则焊点本构结构模型表示为：α＝λβ (1)公式(1)中，α表示焊点本构结构；λ表示材料参数；β表示变形阻抗；

λ在恒应变速率条件下的计算公式为：

公式(2)中，a表示用力乘子；v表示非弹性应变速率；c表示常数；p表示激活能；T表示绝对温度；m表示应变率敏感指数；

建立模型使用的流动方程如下：v＝f(α,β,T) (3)将式(1)与(2)带入式(3)，得到流动方程的具体形式：

模型变量变化方式表示为：

式(5)中，A表示给定温度和应变的变量饱和值；B表示系数；n表示饱和值反应率敏感指数。

3.根据权利要求1所述的球栅阵列封装芯片热应力仿真方法，其特征在于，所述S3中，对于某一节点的应力状态，在一定变形条件下，焊点的等效应力达到某一定值，则进入屈服状态，利用屈服原则判断焊点的行为性质，计算公式如下：

式(6)中，P表示屈服应力；P1，P2，P3表示主应力；

根据屈服应力，判断焊点是否表现为塑性行为；根据线性热应力理论，得到热力学弹性方程为：

式(7)中，θ1，θ2，θ3表示主应力应变；I表示拉压对应的弹性模量；μ表示泊松系数；η表示热膨胀系数；T表示温度。