1.一种基于场路耦合的LFBGA封装电热联合仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、建立LFBGA封装热阻模型；首先模拟其散热能力；根据JEDEC标准，芯片结点与环境之间的热阻使用符号θ来表示，二者之间的转换关系式为：式(1)中，Q表示该模型中LFBGA封装的芯片功耗；T1表示芯片的节点温度；T0表示周边环境的温度；

S2、基于场路耦合计算电热联合芯片散热关系式；通过场路耦合方式发现热阻模型与温度的关系：2

式(2)中，μ(T)表示电子迁移率，单位为cm /(V·s)；μ0表示当电子迁移系数为0时的电2

子迁移率，单位为cm /(V·s)；T0、T1单位为℃；α表示经验常数，取值为0.25；在场路耦合原理中，计算电路板内部的电流参数：式(3)中，I(T)表示T温度该电路板所经历的电流系数，单位为A；α取值为0.36；

S3、LFBGA封装电热联合仿真；采用半解析模型建立基于场路耦合的LFBGA封装电热联合仿真方法，使用电子元件，结合自身特性在计算机中进行电子电路的仿真。

2.根据权利要求1所述的基于场路耦合的LFBGA封装电热联合仿真方法，其特征在于，建立基于场路耦合的LFBGA封装电热联合功耗模型，并在该功耗模型中开启分段型差值算法，分别提取开通能耗、关闭能耗的函数关系式；然后将该关系式的所有模型全部导入到电模型以及功耗计算模型中，通过理想化的封装，将开关控制的电子元件设置为阈值电压，并通过LFBGA打通封装结构。