1.一种忆阻仿真器电路，其特征在于，包括场效应管M0和场效应管M1。

场效应管M0的栅极G端与场效应管M1的漏极D端相连。

场效应管M0的衬底B端与场效应管M1的栅极G端相连。

场效应管M0的漏极D端为忆阻仿真器的T0端，场效应管M0的源极S端为忆阻仿真器的T1端。

场效应管M1的衬底B端和源极S端接地。

2.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，场效应管M0的漏极D端可以与场效应管M0的源极S端交换。

3.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，场效应管M1的漏极D端可以与场效应管M1的源极S端交换。

4.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，在忆阻仿真器电路的T0端和T1端之间添加正弦信号vi，场效应管M的漏极电流ii与输入信号vi的关系曲线呈现出捏滞回线特征。

5.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，在忆阻仿真器电路的T0端和T1端之间添加正弦信号vi，场效应管M的漏极电流ii与输入信号vi的关系曲线会随着输入信号vi频率的提升而逐步收缩，最终收缩成一条单值函数曲线。

6.如权利要求1所述的一种忆阻仿真器电路，其特征在于，在正弦输入vi的频率到达

750MHz前，忆阻仿真器电路仍能保持忆阻特性(如权利要求4和权利要求5所述)。