1.一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将Na源、Zr源、Si源、P源、Zn源按照Na:Zr:Zn:Si:P=3:2‑x:x:2:1（x=0.05～0.1）的摩尔比进行球磨混合，制得前驱体；

（2）将步骤（1）中的前驱体置于管式炉中，由25℃程序升温至1100～1200 ℃，保温一段时间后，随炉冷却，制得Zn掺杂的Na3Zr2‑xZnxSi2PO12。

2.根据权利要求1所述的一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，步骤（1）所述的Na源为碳酸钠、硝酸钠或者磷酸钠。

3.根据权利要求1所述的一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，步骤（1）中所述Zr源为氧化锆。

4.根据权利要求1所述的一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，步骤（1）中所述Si源为二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，步骤（1）中所述P源为磷酸二氢铵。

6.根据权利要求1所述的一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，步骤（1）所述的Zn源为氧化锌或者硝酸锌。

7.根据权利要求1所述的一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，步骤（2）所述的管式炉为空气流通的管式炉。

8.根据权利要求1所述的一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，步骤（2）所述的程序升温速率为2～10℃/min。

9.根据权利要求1所述的一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，其特征在于，步骤（2）所述的保温时间为3～7 h。

10.根据权利要求1～9任一项所述方法制备得到Zn掺杂的Na3Zr2‑xZnxSi2PO12。