1.一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置，包括壳体(1)，所述壳体(1)的内部设置有沉积腔(15)，且沉积腔(15)的外侧设置有控制薄膜沉积环境温度的加热环(14)，所述壳体(1)的顶部安装有端盖(4)，且壳体(4)的侧面安装有控制端盖(4)开合的开合盖组件(8)，其特征在于，所述端盖(4)的底部设置有环形分布的换气腔(12)，且端盖(4)的顶部安装有控制换气的电磁阀(6)，所述电磁阀(6)的侧面安装有排气管(7)，且电磁阀(6)的进气端与换气腔(12)之间安装有多个抽吸管(5)，所述端盖(4)的底部中间位置安装有步进马达(19)，且端盖(4)的底部还安装有可旋转的基片搭载平台(11)，步进马达(19)的输出轴底端与基片搭载平台(11)传动连接；

所述沉积腔(15)的内部底端安装有环形结构的第一进气组件(17)，且壳体(1)的侧面安装有与第一进气组件(17)连接的第一进气管(3)，所述沉积腔(15)的底部中间转动安装有第二进气组件(16)，且第二进气组件(16)位于第一进气组件(17)的圆心位置，所述端盖(4)的底部安装有带动第二进气组件(16)旋转的驱动组件(9)，和连接第二进气组件(16)进气端的旋转管接头(10)，所述旋转管接头(10)的侧面安装有第二进气管(2)；

所述沉积腔(15)的内部安装有环形结构的隔离组件(18)，且隔离组件(18)的顶部和底部分别与端盖(4)、第一进气组件(17)密封连接，所述隔离组件(18)的内部设置有可旋转的气相分散组件(13)，且气相分散组件(13)的顶部与基片搭载平台(11)的底部传动连接。

2.根据权利要求1所述的一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置，其特征在于，所述基片搭载平台(11)包括平台支架(111)、上限位盘(112)和下限位环(113)，所述平台支架(111)夹持于上限位盘(112)和下限位环(113)之间，所述平台支架(111)的底部安装有多个搭载基片的沉积架(114)。

3.根据权利要求2所述的一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置，其特征在于，所述沉积架(114)与平台支架(111)之间转动连接，且沉积架(114)的顶部安装有从动齿轮(115)，所述上限位盘(112)与平台支架(111)之间安装有多个与从动齿轮(115)啮合连接的传动齿轮(116)，且端盖(4)的内环处设置有与传动齿轮(116)相啮合的环形齿槽部。

4.根据权利要求1所述的一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置，其特征在于，所述第一进气组件(17)包括中空结构的进气环圈(171)，且进气环(171)的内环处设置有圆台状结构的第一进气部，且第一进气部的表面螺接有多个第一进气喷嘴(174)，所述进气环(171)的顶部安装有聚气环(173)，且聚气环(173)的内壁处安装有多个隔板(172)，隔板(172)设置于第一进气喷嘴(174)之间。

5.根据权利要求4所述的一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置，其特征在于，所述第二进气组件(16)包括竖管(164)，所述竖管(164)的顶部安装有圆台状结构的第二进气台(161)，且第二进气台(161)的外侧螺接有多个第二进气喷嘴(163)，所述第二进气台(161)的表面分布有多个扰流桨板(162)，且扰流桨板(162)与第二进气喷嘴(163)交错设置。

6.根据权利要求1所述的一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置，其特征在于，所述隔离组件(18)包括喇叭状结构的隔离筒体(181)，且隔离筒体(181)与沉积腔(15)之间安装有支撑环(183)，支撑环(183)的表面分布有多个穿槽(184)，所述隔离筒体(181)的内外壁之间设置有多个贯穿的散逸流道(182)，且散逸流道(182)的进出口分布于支撑环(183)的上下位置。

7.根据权利要求6所述的一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置，其特征在于，所述气相分散组件(13)包括与基片搭载平台(11)连接的柱体(131)，且柱体(131)的外侧安装有三组倒V型结构分布的剪切杆(132)，每组所述剪切杆(132)的顶端高度呈阶梯分布，每组所述剪切杆(132)的另一端之间安装有扇形结构的阻隔片(133)。

8.根据权利要求3所述的一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置，其特征在于，所述开合盖组件(8)包括与壳体(1)连接的开合盖电机和减速器，与端盖(4)连接的机械臂，机械臂通过减速器与开合盖电机传动连接，所述开合盖组件(8)还包括多个分布于端盖(4)表面的锁具。

9.根据权利要求5所述的一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积装置，其特征在于，所述驱动组件(9)包括驱动电机和齿轮组，齿轮组包括安装于竖管(164)外侧的齿轮圈，和安装于驱动电机输出轴端部的齿轮盘。

10.一种光伏TOPCon电池片基片表面薄膜沉积工艺，其特征在于，通过权利要求1‑9所述的沉积装置；

步骤(1)：将基片安装于基片搭载平台(11)上，通过第一进气喷嘴(174)和第二进气喷嘴(163)向沉积腔(15)内部通入惰性气体，并通过加热环(14)对沉积腔(15)内部进行升温

100‑150℃，对沉积腔(15)内部气体进行置换；

步骤(2)：沉积腔(15)内部空气置换完成后，对其进行5‑10KPa抽真空处理，对真空进行保压，并对沉积腔(15)持续升温至600℃保温，之后通过第一进气喷嘴(174)和第二进气喷嘴(163)向沉积腔(15)内部通入氧气至90‑95KPa，在基片表面形成氧化膜层；

步骤(3)：对沉积腔(15)进行5‑15KPa抽真空处理，通过第一进气喷嘴(174)和第二进气喷嘴(163)向沉积腔(15)内部通入硅烷至90‑95KPa，对沉积腔(15)升温至700‑850℃，在基片的氧化膜表面形成非晶硅沉积薄膜；

步骤(4)：对沉积腔(15)通入惰性气体置换内部硅烷，并对沉积腔(15)进行700‑850℃保温，对非晶硅沉积薄膜进行固化处理，在电池片基片表面形成稳固的非晶硅沉积薄膜。