1.一种半导体元件加工设备，其特征在于，包括塑封机（1），所述塑封机（1）中设有用于塑封多层芯片（10）的塑封单元、用于对塑封过程中的多层芯片（10）定位的定位限制单元（3）和驱动单元（13），所述多层芯片（10）的顶部和底部均贯穿有流体口（108），所述流体口（108）与多层芯片（10）内部的微通道（104）相连通；

所述塑封单元包括下模（11）和上模（12），所述下模（11）和上模（12）之间形成有用于盛放多层芯片（10）的模腔（2）；

所述定位限制单元（3）包括第一定位柱（31）和第二定位柱（33），所述第一定位柱（31）与多层芯片（10）顶部的流体口（108）相适配，所述第二定位柱（33）与多层芯片（10）底部的流体口（108）相适配；

所述驱动单元（13）包括第一直线驱动机构和第二直线驱动机构，所述第一直线驱动机构的输出端与上模（12）连接，用于驱动所述上模（12）与下模（11）合模或开模，所述第二直线驱动机构的输出端与第一定位柱（31）连接，用于驱动第一定位柱（31）插入至多层芯片（10）顶部的流体口（108），所述第二定位柱（33）安装于模腔（2）的底部，当塑封时，将多层芯片（10）底部的流体口（108）套在第二定位柱（33）上，对多层芯片（10）进行定位，限制多层芯片（10）中上层晶圆（101）和下层晶圆（102）结合面的水平偏移。

2.根据权利要求1所述的一种半导体元件加工设备，其特征在于，所述第一定位柱（31）的顶端安装有压块（32），所述压块（32）的直径大于第一定位柱（31），所述压块（32）的底面与多层芯片（10）的塑封体顶面接触，用于限制多层芯片（10）的高度。

3.根据权利要求2所述的一种半导体元件加工设备，其特征在于，所述下模（11）的一侧开设有与模腔（2）连通的注口（111）和出口（112），所述注口（111）和出口（112）用于将塑封料注入模腔（2）内，将多层芯片（10）塑封，所述塑封机（1）上安装有加热单元（14），所述加热单元（14）用于加热融化塑封料。

4.根据权利要求3所述的一种半导体元件加工设备，其特征在于，所述上模（12）的顶部开设有安装槽（121），所述上模（12）的顶部四周安装有导向杆（122），所述导向杆（122）用于对上模（12）的竖向运动限制导向。

5.根据权利要求4所述的一种半导体元件加工设备，其特征在于，所述第一定位柱（31）的外壁自上而下布置有第一段和第二段，第一段表面开设有螺纹段（311），第二段表面嵌装有气胀囊（312），所述第一定位柱（31）为中空结构，所述第一定位柱（31）的内部与外部气源或液体源连接，当所述第一定位柱（31）内充满气体或液体时，所述气胀囊（312）膨胀。

6.根据权利要求5所述的一种半导体元件加工设备，其特征在于，所述压块（32）和第二直线驱动机构之间设有压力补偿单元（4），所述压力补偿单元（4）包括缸体（41），所述缸体（41）的内部活动设有补偿杆（42），所述缸体（41）与补偿杆（42）之间设有弹簧（43），所述压力补偿单元（4）还包括第一挡块（44）和第二挡块（45），所述第一挡块（44）与补偿杆（42）固定连接，所述第二挡块（45）与缸体（41）固定连接，所述弹簧（43）的两端分别与第一挡块（44）以及第二挡块（45）连接，所述缸体（41）的固定端与第二直线驱动机构的输出端连接，所述补偿杆（42）远离缸体（41）的端部与压块（32）连接。

7.根据权利要求6所述的一种半导体元件加工设备，其特征在于，所述缸体（41）的一侧还安装有进液座（46），所述进液座（46）的一侧开设有流体通道（47），所述缸体（41）、补偿杆（42）和压块（32）也均为中空组件，且三者相互连通，所述流体通道（47）与缸体（41）也相互连通，两个所述流体通道（47）中的一个的输入端与外部液体源连接，当所述流体通道（47）内输入液体时，液体经缸体（41）、补偿杆（42）、压块（32）和第一定位柱（31）流入到多层芯片（10）的微通道（104）内，对所述多层芯片（10）进行散热，抑制多层芯片（10）各部分的热膨胀程度。

8.根据权利要求7所述的一种半导体元件加工设备，其特征在于，所述驱动单元（13）还包括旋转驱动机构，所述旋转驱动机构的输出端与缸体（41）连接，用于驱动所述压力补偿单元（4）和第一定位柱（31）自转，所述旋转驱动机构的输入端与第二直线驱动机构的输出端连接。

9.根据权利要求8所述的一种半导体元件加工设备，其特征在于，所述第一直线驱动机构和第二直线驱动机构为气缸驱动组件或丝杆驱动组件，旋转驱动机构为电机驱动组件。