1.一种基于具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列的传感器，其特征在于，包括依次层叠的具有二氧化硅介质层的柔性衬底、柔性叉指电极和具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述纳米球的尺寸为100‑200 nm，纳米球内均匀分布有第一级介孔，第一级介孔的孔径为3‑7 nm；所述纳米球阵列形成均匀分布的第二级介孔，第二级介孔的孔径为50‑100 nm。

3.一种权利要求1所述的基于具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列的传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在柔性衬底表面制备二氧化硅介质层，得到具有二氧化硅介质层的柔性衬底；

（2）在具有二氧化硅介质层的柔性衬底的表面制备柔性叉指电极；

（3）配制金属酞菁MOFs前驱体溶液：先制备作为模板剂的表面活性剂、膨胀剂和去离子水的混合溶液，再加入有机酸和含具有霍夫迈斯特效应的离子的化合物，混合后再加入金属盐、配体和金属酞菁，搅拌反应后得金属酞菁MOFs前驱体溶液；

（4）将步骤（2）制得的材料浸入步骤（3）制得的金属酞菁MOFs前驱体溶液中，依次进行旋涂处理、蒸汽辅助结晶处理、除去模板剂处理和低温等离子处理，即得传感器。

4.根据权利要求3所述的传感器的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述在柔性衬底表面制备二氧化硅介质层的步骤为：先对柔性衬底进行预处理，再通过沉积工艺在柔性衬底的表面沉积二氧化硅介质层；所述沉积工艺的参数为：射频频率为10‑20 kHz，射频功率为100‑200 W，通入的气体包括反应气体和稀释气体，反应气体包括硅化物、氧气和乙烯，硅化物、氧气和乙烯的气体流量比为10‑30:30‑50:4‑8，硅化物的流量为10‑30 sccm，硅化物为硅烷，稀释气体为氩气，氩气的气体流量为400‑1000 sccm，反应气压为5‑50 Pa，沉积温度为150‑250 ℃，沉积时间为5‑10 min，所得二氧化硅介质层的厚度为100‑300 nm；所述柔性衬底为超薄玻璃、聚酰亚胺薄膜或聚偏氟乙烯薄膜。

5.根据权利要求3所述的传感器的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述制备柔性叉指电极的步骤为：在具有二氧化硅介质层的柔性衬底的表面旋涂粘合剂，第一次烘干，继续旋涂负光刻胶，第二次烘干，曝光处理，第三次烘干，显影处理，再进行真空镀金属层，去除光刻胶后得柔性叉指电极；所述的粘合剂为六甲基二硅氮烷，旋涂的参数为：转速为3000‑

5000 rpm，时间为20‑40秒，第一次烘干的参数为：温度为80‑100 ℃，时间为2‑4分钟，所述负光刻胶为JSR系列负光刻胶，第二次烘干的参数为：温度为100‑120 ℃，时间为2‑4分钟；

2

曝光处理的参数为：光强度为2.4‑8.4 W/cm ，曝光时间为4‑40秒；第三次烘干的参数为：温度为90‑120℃，时间为2‑4分钟；显影处理的参数为：采用JSR系列显影剂进行喷涂显影，喷涂时间为40‑80秒；真空镀金属层的步骤为：首先沉积Ti/TiN层，利用低温沉积的方式淀积

20‑40 nm的钛金属和40‑60 nm氮化钛，钛作为粘接层，氮化钛作为辅助层，接着沉积40‑120 nm的金纳米层。

6.根据权利要求3所述的传感器的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述表面活性剂为F127、P123或PEO‑PS‑PEO，膨胀剂为1,3,5‑三甲基苯、三乙酸甘油酯或邻苯二甲酸二辛酯，膨胀剂与表面活性剂的摩尔比为4.5‑36.2:1。

7.根据权利要求3所述的传感器的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述有机酸为醋酸，具有霍夫迈斯特效应的离子为高氯酸根、硝酸根或硫酸根；所述有机酸和含具有霍夫迈斯特效应离子的化合物的摩尔比为6.8:1‑2。

8.根据权利要求3所述的传感器的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述金属盐为氯化钨，配体为2，5‑二氨基对苯二甲酸、2,5‑双（（3‑羧基苯基）氨基）对苯二甲酸或2,5‑双（四唑）对苯二甲酸，金属酞菁为四（羧基苯氧基）锌酞菁、四（羧基苯氧基）钯酞菁、四（羧基苯氧基）锡酞菁或四（羧基苯氧基）铂酞菁，金属盐、配体和金属酞菁的摩尔比为1:0.3‑0.5:0.1‑

0.3，所述搅拌反应的温度为35‑55 ℃，时间为1.5‑3 h。

9.根据权利要求3所述的传感器的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，所述旋涂处理的参数为：相对湿度为10‑50 %，速度为4000‑6000 rpm，时间为30‑60 s；所述蒸汽辅助结晶处理的参数为：将相对湿度为85‑95 %，温度为100‑120 ℃，反应时间为18‑30 h；所述低温等离子体的参数为：温度为0‑15℃，频率为40‑60 KHz，功率为100‑120 W，时间为5‑7 min。

10.一种权利要求1所述的基于具有多级介孔结构的金属酞菁MOFs纳米球阵列的传感器在检测ppb级3‑羟基‑2‑丁酮中的应用。