1.一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、乙醇、水和硝酸进行混合，之后经过搅拌和干燥后得到硅氧烷干凝胶前驱体；

步骤2，将硅氧烷干凝胶前驱体通过碳热还原反应法进行生长得到氮化硅纳米带薄膜；

步骤3，通过浮动CVD法将乙醇、乙二胺及二茂铁的混合溶液注射到氮化硅纳米带薄膜上，在氮化硅纳米带薄膜表面生长碳纳米管从而制得原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料；

步骤1中，甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、乙醇、水、硝酸的质量比为1:1:8:

2:1～10:1:8:2:1；

步骤3中，乙醇、乙二胺及二茂铁的混合溶液中乙二胺及二茂铁的质量比为5：1～20：1。

2.根据权利要求1所述的一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，搅拌时的转速为100～600 r/min,搅拌时间为10～120 min。

3.根据权利要求1所述的一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，干燥时的温度为40～200 ℃，干燥时间为1～24 h。

4.根据权利要求1所述的一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，生长得到氮化硅纳米带材料的宏观体是块体、粉体或薄膜的一种或多种的混合。

5.根据权利要求1所述的一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料的制备方法，其特征在于，步骤3中，碳纳米管的生长温度为700～900 ℃，生长时间为10～60 min。

6.根据权利要求1所述的一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述的碳纳米管是单壁碳纳米管、双壁碳纳米管和多壁碳纳米管的一种或几种的混合。

7.一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料，其特征在于，所述原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料通过权利要求1‑6中任一项所述的制备方法制备得到。

8.根据权利要求7所述的一种原位取向碳纳米管/氮化硅纳米带复合材料，其特征在于，所述复合材料在X波段的总屏蔽效能达到55 dB以上。