1.一种定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将三聚氰胺二硼酸盐前驱体水凝胶进行定向冷冻处理，随后进行真空冷冻干燥得到三聚氰胺二硼酸盐前驱体气凝胶；

S2：将三聚氰胺二硼酸盐前驱体气凝胶进行热解处理，得到定向氮化硼纳米带气凝胶；

S3：以定向氮化硼纳米带气凝胶为基体，利用真空辅助浸渍法在基体中均匀填充聚二甲基硅氧烷树脂，并进行固化，得到定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料；

所述S1中，所述定向冷冻处理的处理环境为液氮环境；

所述定向冷冻处理的步骤如下：

将三聚氰胺二硼酸盐前驱体水凝胶放置在中空铜柱上，中空铜柱底部与液氮表面充分接触，定向冷冻。

2.根据权利要求1所述的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料的制备方法，其特征在于，所述S1中，所述三聚氰胺二硼酸盐前驱体水凝胶的制备方法如下：将三聚氰胺和硼酸溶解于共溶剂中进行充分搅拌，得到三聚氰胺二硼酸盐前驱体水凝胶。

3.根据权利要求2所述的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料的制备方法，其特征在于，所述三聚氰胺和硼酸的摩尔比为（1 10）：（1 10）；所述溶解的温度为50 90℃。

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4.根据权利要求2所述的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料的制备方法，其特征在于，所述共溶剂为水与醇类化合物的混合物，所述水与醇类化合物的体积比为（8~

9）：（5 11）；

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所述醇类化合物为甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇以及叔丁醇中的任意一种。

5. 根据权利要求1所述的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料的制备方法，其特征在于，前驱体水凝胶的高度为0.5 3 cm，所述真空冷冻干燥的处理时间为12 72 h。

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6. 根据权利要求1所述的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料的制备方法，其特征在于，所述S2中，所述热解处理的热解气氛为氨气、氩气、氮气一种或两种任意比的混合气氛；所述热解处理的热解温度为500 1400 ℃；所述热解处理的热解时间为0.5 5 h。

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7. 根据权利要求1所述的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料的制备方法，其特征在于，所述S3中，真空辅助浸渍法在基体中均匀填充聚二甲基硅氧烷树脂的过程为：将定向氮化硼纳米带气凝胶放置在聚二甲基硅氧烷溶液中，而后置于真空烘箱，抽真空后浸渍1 3 h；

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所述聚二甲基硅氧烷溶液包括聚二甲基硅氧烷预聚物和固化剂，所述聚二甲基硅氧烷预聚物和固化剂的质量比为10：1；

所述S3中，所述固化的温度为80 200 ℃，所述固化的时间为1 4 h。

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8.一种根据权利要求1 7任意一项所述的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材~料的制备方法制得的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料。

9.采用权利要求1 7任意一项所述的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料的~制备方法制得的定向氮化硼纳米带/聚二甲基硅氧烷复合材料在电子封装领域中的应用。