1.一种PVDF创面敷料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.以PVDF膜为基膜，将所述PVDF膜的一面用聚乳酸的二氯甲烷溶液流延成膜，待溶剂完全挥发后，进行以银为靶材的磁控溅射，之后将膜置于水热反应釜中，加入硝酸银和聚乙烯基吡咯烷酮的水溶液，再缓慢加入氯化钠的水溶液，反应完成后，用二氯甲烷洗涤，干燥得到一面具有银纳米线的PVDF膜；

S2.将步骤S1制备的得到的PVDF膜的银纳米线一面用聚乳酸的二氯甲烷溶液流延成膜，待溶剂完全挥发后，进行以二氧化锰为靶材的磁控溅射，之后将膜置于水热反应釜中，加入氯化锰、氟化钠和高锰酸钾的水溶液中，反应完成后，用二氯甲烷洗涤，干燥得到一面具有银纳米线/二氧化锰纳米棒的PVDF膜；

S3.将步骤S2制得的PVDF膜的银纳米线/二氧化锰纳米棒一面用聚乙烯基吡咯烷酮K30和SOD的水溶液涂覆，得到一面具有SOD三明治结构的PVDF膜；

S4.将两片所述一面具有SOD三明治结构的PVDF膜的SOD三明治结构面相对热压粘合封装，得到PVDF创面敷料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚乳酸的熔点为200‑220℃，所述聚乳酸的二氯甲烷溶液的浓度为100‑120g/L。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述磁控溅射的生长条件为：射频功率20‑50W，氩气压强为0.1‑2Pa，生长时间为5‑10min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述硝酸银、聚乙烯基吡咯

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烷酮和氯化钠的用量分别为100‑150mg/cm膜、2.64‑4.00g/cm膜和100‑130mg/cm 膜，其中聚乙烯基吡咯烷酮的重均分子量为40000‑50000Da。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述反应的温度为140‑180℃，时间为6‑10h。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述磁控溅射的生长条件为：射频功率120‑140W，氩气压强为2‑3.5Pa，生长时间为3‑5min。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述氯化锰、氟化钠和高锰

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酸钾的用量分别为189‑320mg/cm膜、42‑126mg/cm膜和158‑474mg/cm膜。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述反应的温度为140‑180℃，时间为24‑30h。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述聚乙烯基吡咯烷酮K30

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和SOD的用量为200‑240mg/cm膜和200‑265mg/cm膜，其中SOD的酶活力为30000‑50000U/g。

10.根据权利要求1‑9所述的方法制备的PVDF创面敷料。