1.一种基于银纳米线材料的柔性电阻传感器的制备方法，其特征在于该制备方法包括如下步骤：步骤1）将分子量为5.8万与分子量130万聚乙烯吡咯烷酮（PVP）按照质量比为1:1 2的~比例混合，取以上混合物1.86g溶于100mL乙二醇（EG）中，搅拌溶解后，将溶液装入三颈烧瓶内，在其中滴入1mL的控制剂，再将搅拌均匀的AgNO3/EG溶液用蠕动泵以25~100mL/h的速度加入三颈烧瓶中，继续加热反应1小时，反应结束后，得到高长径比1500以上的银纳米线材料，采用该银纳米线材料作为可变电阻材料；

步骤2）采用聚乙二醇PEG‑2000和聚丙二醇PPG‑2000质量比1：3至3：1的配比，作为混合软段的原料组分，采用异佛尔酮二异氰酸酯（IPDI）作为硬段组分，软段组分和硬段组分比例为1：1 1.5，并滴加催化剂二月桂酸二丁基锡（DBTDL）3mL，再加入质量比5 10%羟烃基双~ ~封端聚二甲基硅氧烷充分反应3h来进行改性，最后减压蒸馏除去有机溶剂后，得到有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）薄膜；

步骤3）将步骤2）获得的有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）薄膜裁剪成两个5cm×5cm的正方形，将其用无水乙醇超声清洗10min后，吹干放置干燥器中，将步骤1）获得的银纳米线离心处理好后，用移液枪将银纳米线分散在无水乙醇中得到AgNWs分散液，并且超声处理10min以免其团聚；

步骤4）将有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）薄膜材料用透明胶带黏住四边来预留出电极和粘合的位置，之后分别将两个有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）薄膜材料的一面在步骤3）中配置好的AgNWs分散液中浸泡30min，使其表面均匀覆盖上AgNWs，撕掉透明胶带，用丙酮和无水乙醇对四边进行非金属化处理；将处理好的有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）薄膜上下两端引入铜片并用导电银胶固定来作为引出电极，最后将两个有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）薄膜面对面贴合封装，得到柔性电阻传感器，柔性电阻传感器呈三明治结构；

步骤1）中所述控制剂为浓度3mmol/L的氯化铜、氯化铁、氯化钠溶液中的任意一种；

步骤1）中在以25 100mL/h的速度加入三颈烧瓶中之前采用下述步骤：将滴入1mL的控~制剂的三颈烧瓶放在140℃的油浴锅中反应1~6小时，避光称取0.51g的AgNO3溶于25mL乙二醇（EG）中，搅拌溶解过程中烧杯需要用锡纸进行包覆；

步骤1）中在反应结束后，先将得到的灰绿色油状的液体冷却至室温后装入离心管中，用500mL无水乙醇重复离心5‑6次后分散在乙醇溶液中，得到高长径比1500以上的银纳米线材料。

2.根据权利要求1所述的一种基于银纳米线材料的柔性电阻传感器的制备方法，其特征在于：步骤2）中在滴加3mL催化剂二月桂酸二丁基锡（DBTDL）之前，先在氮气保护下，向装有回流冷凝装置、搅拌装置和温度计的三口烧瓶中加入经脱水处理过的聚乙二醇PEG‑

2000、聚丙二醇PPG‑2000、二月桂酸二丁基锡（DBTDL）。

3.根据权利要求1所述的一种基于银纳米线材料的柔性电阻传感器的制备方法，其特征在于：步骤2）中在进行改性之后按中和度100%滴加三乙胺（TEA）中和15min，待体系温度降至室温，再加入溶有消泡剂的去离子水高速搅拌乳化30min，最后减压蒸馏除去有机溶剂后，得到有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）乳液，将得到的有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）乳液倒入PTFE模具中，在室温下自然固化24h，再将其置于50℃的真空烘箱中干燥48h，将得到的胶膜置于干燥皿中，得到有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种基于银纳米线材料的柔性电阻传感器的制备方法，其特

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征在于：柔性电阻传感器能够达到13.2 54.1Ω/m。

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5.根据权利要求1所述的一种基于银纳米线材料的柔性电阻传感器的制备方法，其特征在于：柔性电阻传感器最大灵敏度GF＝21.78，平均灵敏度GF＝9.58。

6.根据权利要求1所述的一种基于银纳米线材料的柔性电阻传感器的制备方法，其特征在于：步骤2）中有机硅改性聚氨酯（Si‑PU）薄膜的断裂强度为10.7 14.8MPa，断裂伸长率~为289.3% 432.5%。

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7.根据权利要求1所述的一种基于银纳米线材料的柔性电阻传感器的制备方法，其特征在于：步骤3）中用移液枪将银纳米线分散在无水乙醇中得到AgNWs分散液质量浓度为5g/L、10g/L、15g/L、20g/L或 30g/L的AgNWs分散液。