1.一种异质结ZnO/Co3O4光电极薄膜，其特征在于，制备方法包括如下步骤：

1)将ZnO粉末加入丙酮溶液中，再加入I2，通过超声分散得ZnO沉积悬浮液，采用电泳沉积法制备ZnO薄膜；

2)将Co3O4粉末加入乙醇和聚乙二醇的混合溶液中，通过超声分散得Co3O4均相溶胶纳米颗粒溶液，加入步骤1)所得的ZnO薄膜，采用浸渍法在ZnO薄膜上叠加一层Co3O4膜；

3)将步骤2)所得产物，在惰性气体或者空气条件下，经高温煅烧，得到异质结ZnO/Co3O4光电极薄膜；

步骤1)具体为：将ZnO粉末加入丙酮溶液中，超声分散后加入I2，继续超声分散获得ZnO沉积悬浮液；向ZnO沉积悬浮液中，插入两块清洗干净的等面积的导电玻璃FTO，并令两个导电玻璃FTO的导电面相对，且相互平行浸入ZnO沉积悬浮液中，在15‑25V直流电压条件下沉积1‑5min，在导电玻璃FTO上获得ZnO薄膜；ZnO粉末：丙酮：I2＝6g：2500mL：1.2g；

步骤2)具体为：将Co3O4粉末加入乙醇溶液中，再将聚乙二醇加入上述溶液中，超声分散后获得Co3O4均相溶胶纳米颗粒；向Co3O4均匀溶液中，插入步骤1)所得覆有ZnO薄膜的导电玻璃FTO，使其浸渍8‑12min，在ZnO薄膜上叠加一层Co3O4薄膜；

Co3O4粉末：无水乙醇：聚乙二醇＝6g：3000mL：50mL。

2.如权利要求1所述的一种异质结ZnO/Co3O4光电极薄膜，其特征在于，步骤3)中，所述高温煅烧是，在温度为100‑300℃下煅烧20‑40min。

3.如权利要求1所述的一种异质结ZnO/Co3O4光电极薄膜，其特征在于，所述ZnO粉末的制备方法包括如下步骤：将锌盐加入含有PVP和DMF的水溶液中，混合均匀后，滴加0.25M NaOH水溶液，直至pH达到10为止，将所得混合液搅拌10min后转移到水热釜中，置于烘箱中，

100‑180℃加热0.5‑2h，所得产物用丙酮和乙醇离心洗涤，于50‑70℃烘干，得到ZnO粉末；所述锌盐是硝酸锌、醋酸锌、乙酸锌或氯化锌。

4.如权利要求1所述的一种异质结ZnO/Co3O4光电极薄膜，其特征在于，所述Co3O4粉末的制备方法包括如下步骤：将适量钴盐，置于坩埚中，于300‑500℃退火2‑4h，得到Co3O4粉末；

所述钴盐是硝酸钴、硫酸钴或氯化钴。

5.权利要求1所述的一种异质结ZnO/Co3O4光电极薄膜作为光阴极半导体材料在光分解水制氢中的应用。