1.一种异质结薄膜光伏器件的制备方法，其特征在于，包括：S1、在FTO基片上制备TiO2籽晶层，形成含TiO2籽晶层的FTO基片；

S2、在所述含TiO2籽晶层的FTO基片上制备Nb掺杂TiO2纳米线薄膜，形成Nb掺杂TiO2纳米线基片；

S3、在所述Nb掺杂TiO2纳米线基片上沉积Cu2O，形成沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜；

S4、在所述沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜上形成Ag电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1包括：S11、刻蚀所述FTO基片，形成刻蚀后的FTO基片；

S12、清洗所述刻蚀后的FTO基片，形成清洗后的FTO基片；

S13、配制含钛水溶液；

S14、水浴水解所述含钛水溶液，在所述清洗后的FTO基片上制备TiO2籽晶层，形成所述含TiO2籽晶层的FTO基片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S1之后，还包括：对所述含TiO2籽晶层的FTO基片进行高温热处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2包括：S21、配制前驱生长溶液；

S22、清洗所述含TiO2籽晶层的FTO基片，形成清洗后的含TiO2籽晶层的FTO基片；

S23、将所述清洗后的含TiO2籽晶层的FTO基片放入聚四氟乙烯内衬中，形成反应材料；

S24、将所述反应材料和所述前驱生长溶液放入反应釜中进行保温处理，形成所述Nb掺杂TiO2纳米线基片。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S21包括：S211、按照含量比为0.4～1g TBOT:30ml HCl:30ml H2O：0.00317g～0.01586g NbCl5的比例配制生长溶液，其中，所述生长溶液中Nb/Ti原子摩尔比约为0～2％；

S212、在磁力搅拌条件下搅拌所述生长溶液，形成所述前驱生长溶液。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S2之后，还包括：对所述Nb掺杂TiO2纳米线基片进行清洗处理和吹干处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3包括：S31、配制反应溶液；

S32、刻蚀所述Nb掺杂TiO2纳米线基片，形成工作电极；

S33、选取参比电极和对电极，与所述工作电极组成三电极沉积系统；

S34、将所述参比电极、所述对电极和所述工作电极放入所述反应溶液并连接在电化学工作站上进行沉积处理，形成所述沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤S31包括：S311、配制0.1～0.4mol/L的CuSO4乳酸溶液；

S312、在磁力搅拌条件下搅拌所述CuSO4乳酸溶液，形成搅拌后的CuSO4乳酸溶液；

S313、使用NaOH溶液调节所述搅拌后的CuSO4乳酸溶液的pH值至12以上，形成所述反应溶液。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3之后，还包括：对所述沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜进行清洗处理、吹干处理和干燥处理。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4包括：S41、制作掩膜版；

S42、将所述掩膜版固定在所述沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜上；

S43、采用热蒸发的方法，在所述沉积有Cu2O的Nb掺杂TiO2纳米线薄膜上形成所述Ag电极。