1.一种碳化硅MOS，包括N型漂移层（200），其特征在于：所述N型漂移层（200）底部连接绝缘层（100），所述N型漂移层（200）顶部设有源极和漏极，所述源极处设有P+基底（300）和N+区（400），所述漏极处设有N+区（400），所述N型漂移层（200）顶部还设有栅极（500）。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS，其特征在于：所述栅极（500）和N型漂移层（200）之间设有氧化层（600），所述氧化层（600）和栅极（500）设置在源极靠近漏极的一侧。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS，其特征在于：所述N+区（400）和N型漂移层（200）可组成U型结构。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS，其特征在于：所述源极至漏极的导通通道经过N型漂移层（200）。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS，其特征在于：所述N型漂移层（200）通过离子布置达成。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS，其特征在于：所述P+基底（300）和N+区（400）位于N型漂移层（200）蚀刻成的凹槽中。