1.一种QFN封装结构，其特征在于，包括基板、EPAD焊接区、芯片和QFN封装引脚，所述EPAD焊接区设置于所述基板的表面，所述芯片设置于所述EPAD焊接区的表面；

所述QFN封装引脚围绕所述EPAD焊接区并且设置于所述基板的表面；所述QFN封装引脚用于与所述QFN封装结构的外部的器件连接；所述QFN封装引脚与所述芯片连接；

所述芯片设置于所述EPAD焊接区的非中心位置的表面；

所述芯片的射频发射引脚通过至少三根第一绑定线连接至所述QFN封装引脚的射频发射引脚。

2.根据权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片的射频接收引脚通过第二绑定线连接至所述QFN封装引脚的射频接收引脚；

所述第一绑定线的长度小于或者等于所述第二绑定线的长度。

3.根据权利要求2所述的QFN封装结构，其特征在于，所述第二绑定线的数量为1。

4.根据权利要求1所述的QFN封装结构，其特征在于，所述第一绑定线的打线弧高大于或者等于70um并且小于或者等于80um。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片的射频发射地引脚通过第三绑定线连接至所述QFN封装引脚的射频发射地引脚，所述芯片的射频接收地引脚通过第四绑定线连接至所述QFN封装引脚的射频接收地引脚；

所述芯片的射频发射引脚分别与所述芯片的射频发射地引脚、所述芯片的射频接收引脚相邻；所述芯片的射频接收引脚与所述芯片的射频接收地引脚相邻；

所述QFN封装引脚的射频发射引脚分别与所述QFN封装引脚的射频发射地引脚、所述芯片的射频接收引脚相邻；所述QFN封装引脚的射频接收引脚与所述QFN封装引脚的射频接收地引脚相邻。

6.根据权利要求5所述的QFN封装结构，其特征在于，所述第一绑定线与所述第三绑定线之间的距离大于或者等于30um并且小于或者等于100um，所述第三绑定线的打线弧高等于所述第一绑定线的打线弧高；

所述第一绑定线的长度小于或者等于所述第三绑定线、所述第四绑定线的长度。

7.根据权利要求5所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片内设置有滤波电容，所述滤波电容与所述芯片的射频发射地引脚与所述芯片的射频发射引脚连接。

8.一种QFN封装结构，其特征在于，包括基板、EPAD焊接区、芯片和QFN封装引脚，所述EPAD焊接区设置于所述基板的表面，所述芯片设置于所述EPAD焊接区的表面；

所述QFN封装引脚围绕所述EPAD焊接区并且设置于所述基板的表面；所述QFN封装引脚用于与所述QFN封装结构的外部的器件连接；所述QFN封装引脚与所述芯片连接；

所述芯片设置于所述EPAD焊接区的非中心位置的表面；

所述芯片的射频收发引脚通过至少三根第一绑定线连接至所述QFN封装引脚的射频收发引脚。

9.根据权利要求8所述的QFN封装结构，其特征在于，所述第一绑定线的打线弧高大于或者等于70um并且小于或者等于80um。

10.根据权利要求8或9所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片的射频发射地引脚通过第三绑定线连接至所述QFN封装引脚的射频发射地引脚，所述芯片的射频接收地引脚通过第四绑定线连接至所述QFN封装引脚的射频接收地引脚；

所述芯片的射频收发引脚分别与所述芯片的射频发射地引脚、所述芯片的射频接收地引脚相邻；

所述QFN封装引脚的射频收发引脚与所述QFN封装引脚的射频发射地引脚、所述QFN封装引脚的射频接收地引脚相邻。

11.根据权利要求10所述的QFN封装结构，其特征在于，所述第一绑定线与所述第三绑定线之间的距离大于或者等于30um并且小于或者等于100um，所述第三绑定线的打线弧高等于所述第一绑定线的打线弧高；所述第一绑定线的长度小于或者等于所述第三绑定线、所述第四绑定线的长度。

12.根据权利要求10所述的QFN封装结构，其特征在于，所述芯片内设置有滤波电容，所述滤波电容与所述芯片的射频发射地引脚与所述芯片的射频收发引脚连接。

13.一种射频收发模组结构，其特征在于，包括天线、匹配网络电路、第一电感和权利要求1至7中任一项所述的QFN封装结构，所述天线与所述匹配网络电路连接，所述匹配网络电路与所述QFN封装引脚的射频发射引脚连接；所述第一电感分别连接所述匹配网络电路与所述QFN封装引脚的射频接收引脚连接。

14.根据权利要求13所述的射频收发模组结构，其特征在于，所述匹配网络电路包括第一电容、第二电容、第三电容以及第二电感；

所述天线与所述第一电容的第一端连接；

所述第一电容的第二端分别连接至所述第二电容的第一端与所述第二电感的第一端；

所述第二电容的第二端接地；

所述第二电感的第二端分别连接所述第三电容的第一端、所述QFN封装引脚的射频发射引脚以及所述第一电感；

所述第三电容的第二端接地。

15.一种射频收发模组结构，其特征在于，包括天线、匹配网络电路与权利要求8至12中任一项所述的QFN封装结构，所述天线与所述匹配网络电路连接，所述匹配网络电路与所述QFN封装引脚的射频收发引脚连接。

16.根据权利要求15所述的射频收发模组结构，其特征在于，所述匹配网络电路包括第一电容、第二电容、第三电容以及第二电感；

所述天线与所述第一电容的第一端连接；

所述第一电容的第二端分别连接至所述第二电容的第一端与所述第二电感的第一端；

所述第二电容的第二端接地；

所述第二电感的第二端分别连接所述第三电容的第一端与所述QFN封装引脚的射频收发引脚；

所述第三电容的第二端接地。

17.一种电子设备，其特征在于，包括外壳和权利要求13至16中任一项所述的射频收发模组结构，所述射频收发模组结构设置于所述外壳内。