1.一种射频发射机，其特征在于，包括：调制器，包括相连的信号产生器和信号选择器，所述信号产生器用于产生大小可调的电压信号，所述信号选择器用于选择输出不同的所述电压信号；

振荡器，包括电感、调频电容和隧道二极管，所述调频电容和所述隧道二极管用于形成振荡回路，所述振荡回路通过所述电感与所述信号选择器连接，用于将所述电压信号转换为射频载波信号；

天线，耦接至所述振荡回路，用于发射所述射频载波信号。

2.根据权利要求1所述的射频发射机，其特征在于，所述隧道二极管的负极接地，所述隧道二极管的正极通过第一传输线与所述调频电容的一端连接，所述调频电容的另一端接地；

所述天线通过第二传输线与所述第一传输线连接；

所述电感的一端通过第三传输线与所述第一传输线连接，所述电感的另一端通过第四传输线与所述信号选择器连接。

3.根据权利要求2所述的射频发射机，其特征在于，所述振荡器还包括隔直电容，所述隔直电容设置在所述第一传输线上。

4.根据权利要求1所述的射频发射机，其特征在于，所述信号产生器包括能量存储模块、第一电阻、第二电阻和第一电压跟随器；其中，所述第一电阻和所述第二电阻串联设置在所述能量存储模块的正负极之间；

所述第一电压跟随器的供电端连接所述能量存储模块的正极，所述第一电压跟随器的输入端耦接在所述第一电阻和所述第二电阻之间，所述第一电压跟随器的输出端输出第一电压。

5.根据权利要求4所述的射频发射机，其特征在于，所述信号产生器还包括第三电阻、第四电阻和第二电压跟随器；其中，所述第三电阻和所述第四电阻串联设置在所述能量存储模块的正负极之间；

所述第二电压跟随器的供电端连接所述能量存储模块的正极，所述第二电压跟随器的输入端耦接在所述第三电阻和所述第四电阻之间，所述第二电压跟随器的输出端输出第二电压。

6.根据权利要求5所述的射频发射机，其特征在于，所述第一电阻和所述能量存储模块串联的电路上设置有第一稳压器，所述第三电阻和所述能量存储模块串联的电路上设置有第二稳压器。

7.根据权利要求5所述的射频发射机，其特征在于，所述信号选择器包括第一MOS管和第二MOS管；其中，

所述第一MOS管的栅极接入数字信号、所述第一MOS管的源极接入所述第一电压，所述第一MOS管的漏极连接所述振荡器；

所述第二MOS管的栅极接入所述数字信号、所述第二MOS管的源极接入所述第二电压，所述第二MOS管的漏极连接所述振荡器。

8.根据权利要求7所述的射频发射机，其特征在于，所述第一MOS管为NMOS管，所述第二MOS管为PMOS管。

9.根据权利要求7所述的射频发射机，其特征在于，所述第一MOS管为NMOS管，所述第二MOS管为NMOS管，所述第二MOS管的栅极设置有反相器。

10.根据权利要求1‑9中任一项所述的射频发射机，其特征在于，还包括：二极管；其中，所述二极管的负极接地，所述二极管的正极设置在所述电感与所述信号选择器之间；

所述二极管的导通电压小于或等于所述隧道二极管的击穿电压。

11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1‑10中任一项所述的射频发射机。