1.一种大功率MOS管并联驱动熔断保护电路，其特征在于：包括限流模块和若干个驱动模块，所述驱动模块包括MOS管和均流电阻，所述MOS管和所述均流电阻串联连接，若干个所述驱动模块并联在负载的负极或正极，所述限流模块包括一个或多个限流电阻；

在所述限流模块包括一个限流电阻时，若干个所述MOS管的栅极直接并联后与所述限流电阻串联连接，所述均流电阻与所述MOS管的漏极串联连接；

在所述限流模块包括多个限流电阻时，所述限流电阻的数量与所述MOS管的数量相同，所述限流电阻与所述MOS管一一对应，所述MOS管的栅极通过所述限流电阻相互并联连接。

2.根据权利要求1所述的大功率MOS管并联驱动熔断保护电路，其特征在于：在所述限流模块包括一个限流电阻时，所述MOS管的漏极通过所述均流电阻并联在所述负载的负极，所述负载的正极与电源正极连接，所述MOS管的源极接地。

3.根据权利要求1所述的大功率MOS管并联驱动熔断保护电路，其特征在于：在所述限流模块包括一个限流电阻时，所述MOS管的漏极通过所述均流电阻与电源正极连接，所述MOS管的源极与所述负载的正极连接，所述负载的负极接地。

4.根据权利要求1所述的大功率MOS管并联驱动熔断保护电路，其特征在于：在所述限流模块包括多个限流电阻时，所述MOS管的漏极通过所述均流电阻并联在所述负载的负极，所述负载的正极与电源正极连接，所述MOS管的源极接地；

或者，所述MOS管的漏极直接并联在所述负载的负极，所述负载的正极与电源正极连接，所述MOS管的源极与所述均流电阻串联后接地。

5.根据权利要求1所述的大功率MOS管并联驱动熔断保护电路，其特征在于：在所述限流模块包括多个限流电阻时，所述MOS管的漏极通过所述均流电阻与电源正极连接，所述MOS管的源极并联在所述负载的正极，所述负载的负极接地；

或者，所述MOS管的漏极与电源正极连接，所述MOS管的源极通过所述均流电阻并联在所述负载的正极，所述负载的负极接地。