1.一种有效提高薄膜密度的卷对卷电子束镀膜设备，其特征在于：包括经抽真空的上半部的镀膜室和下半部的卷绕室，卷绕室与镀膜室之间由隔板隔开，所述卷绕室中布置有镀膜主辊，并配合两侧设有的收放卷辊进行薄膜卷材上卷，其中镀膜主辊的下部位于镀膜室内，且镀膜主辊设置偏置电压，所述镀膜室内设有电子枪系统、坩埚系统、偏转磁场系统，所述电子枪系统位于镀膜室一侧，一部分在镀膜室内，一部分在镀膜室外侧，所述坩埚系统位于镀膜卷辊的正下方，偏转磁场系统置于坩埚系统与电子枪系统之间，在坩埚上方还设有一等离子体辅助系统，用以产生一片均匀的等离子体区域。

2.根据权利要求1所述的一种有效提高薄膜密度的卷对卷电子束镀膜设备，其特征在于：所述镀膜主辊连接水冷系统且具备导电的能力，并设置负偏压。

3.根据权利要求1所述的一种有效提高薄膜密度的卷对卷电子束镀膜设备，其特征在于：所述卷绕室中还设有卷绕张力控制系统、在线膜厚检测仪、等离子预处理系统，所有的辊子受卷绕张力控制系统的控制，所述等离子预处理系统设置于放卷辊与镀膜主辊之间，且平行于薄膜卷材放置，所述在线膜厚检测仪置于镀膜主辊与收卷辊之间，平行与薄膜卷材放置。

4.根据权利要求1所述的一种有效提高薄膜密度的卷对卷电子束镀膜设备，其特征在于：所述电子枪系统采用直型电子枪，该直型电子枪由发射电子的块状阴极、聚焦电子束的孔状阳极、和加速电子的阳极三部分组成，所述偏转磁场系统由一对对称放置的电磁铁组成，该对电磁铁能够产生一个影响电子行进轨迹的磁场。

5.根据权利要求1所述的一种有效提高薄膜密度的卷对卷电子束镀膜设备，其特征在于：所述坩埚系统包括坩埚，其外形呈圆柱形，内部为一个倒梯形的结构用以盛放镀膜材料，所述坩埚连接水冷却系统。

6.根据权利要求1所述的一种有效提高薄膜密度的卷对卷电子束镀膜设备，其特征在于：所述等离子体辅助系统包括一个空心阴极电子枪和一块阳极，在空心阴极电子枪与阳极之间产生一片均匀的等离子体区域。

7.根据权利要求1所述的一种有效提高薄膜密度的卷对卷电子束镀膜设备，其特征在于：所述镀膜室内设有等离子检测传感器，其位于等离子体区域的上方。

8.根据权利要求1所述的一种有效提高薄膜密度的卷对卷电子束镀膜设备，其特征在于：所述镀膜室内设有晶振仪，其位于坩埚与等离子体区域之间。

9.根据权利要求1所述的一种有效提高薄膜密度的卷对卷电子束镀膜设备，其特征在于：所述镀膜室和卷绕室的抽真空方式采用真空管道连接抽真空系统，其中抽真空系统包括外部机械泵、罗茨泵和分子泵。