1.一种复合半导体催化剂，其特征在于所述复合半导体催化剂按如下方法制备：将预处理过的SiC置于氙灯光源聚光下的焦点位置，照射下将金属盐的水溶液喷涂至所述预处理过的SiC的表面，得到喷涂后的SiC；将所述喷涂后的SiC超声10‑30min后，干燥，于空气气氛中300‑500℃焙烧1‑3h，得到所述复合半导体催化剂；

所述金属盐的水溶液所含金属盐为硝酸铜和氯化钌，所述硝酸铜中所含铜的理论质量与所述金属盐的水溶液所含金属元素的理论质量比为20‑80：100；所述金属盐的水溶液所含金属元素的理论质量为所述金属盐的水溶液所含金属元素的理论质量和所述预处理过的SiC的总质量的0.1％‑2％。

2.如权利要求1所述的复合半导体催化剂，其特征在于所述预处理过的SiC按照如下预处理得到：将SiC浸于1mol/L的NaOH水溶液中搅拌2个小时，用水离心洗涤，干燥，空气气氛中800℃煅烧2h，得到所述预处理过的SiC。

3.如权利要求1所述的复合半导体催化剂，其特征在于：所述氙灯光源的功率为1000W。

4.如权利要求1所述的复合半导体催化剂，其特征在于：所述金属盐的水溶液的金属盐‑1总浓度为0.01mol·L 。

5.如权利要求1所述的复合半导体催化剂，其特征在于：所述硝酸铜中所含铜的理论质量与所述金属盐的水溶液所含金属元素的理论质量比为50:100。

6.如权利要求1所述的复合半导体催化剂，其特征在于：所述金属盐的水溶液所含金属元素的理论质量为所述金属盐的水溶液所含金属元素的理论质量和所述预处理过的SiC的总质量的0.3％‑0.4％。

7.如权利要求1所述的复合半导体催化剂，其特征在于：所述干燥的温度为100‑110℃，时间为10‑12h。

8.如权利要求1所述的复合半导体催化剂在光催化CO2还原反应中的应用。

9.如权利要求8所述的应用，其特征在于所述应用为：以氙灯或自然光为光源，以所述复合半导体催化剂为催化剂，以CO2和H2O作为反应物，进行CO2还原反应。

10.如权利要求9所述的应用，其特征在于所述CO2的压力0.1‑1.0MPa，所述光源的光强2

为10‑1000kW/m，所述CO2还原反应的温度为150‑550℃。