1.一种高温半导体催化剂的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：（1）将半导体材料置于700℃、空气气氛下焙烧2h，备用；

（2）将Cu(NO3)2、抗坏血酸、聚乙烯吡咯烷酮溶于去离子水中，在70~80℃下搅拌反应2~

3h，随后将反应体系置于冰水浴中，得到Cu纳米团簇溶液；

（3）将步骤（1）准备好的半导体材料与步骤（2）所得Cu纳米团簇溶液混合均匀，蒸干水分，使Cu纳米团簇分散负载到半导体材料表面，然后置于500℃、空气气氛下焙烧2h，得到所述高温半导体催化剂；

所得高温半导体催化剂由半导体材料和过渡金属氧化物组成；

所述半导体材料作为载体，选自GaN或SiC/GaN；

所述过渡金属氧化物为氧化铜；

基于催化剂的总质量，过渡金属氧化物的质量占比为0.1 5.0%，余量为半导体材料。

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2.如权利要求1所述制备方法制得的高温半导体催化剂在CO2的光还原反应中的应用。

3.如权利要求2所述的应用，其特征在于，所述CO2的光还原反应以水或者氢气为还原剂，在气相中进行，反应条件为：温度150 550℃，压力0.1 1.0MPa，光强1 1000个太阳。

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