1.一种红光长余辉发光材料，如式(I)所示：

3+ 2+ 3+

Li1‑yY1‑x‑y‑zGe1‑mSimO4:xBi ,2yMn ,zTb  (I)；

其中，式中0< x ≤ 0.4，0＜ y≤0.05，0≤z≤0.05，0≤m≤0.2。

2.一种权利要求1所述红光长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，包括：将Li前驱体、Y前驱体、Ge前驱体、Si前驱体、Mn前驱体、Bi前驱体与Tb前驱体混合，进行高温固相反应，得到长余辉发光材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Li前驱体、Y前驱体、Ge前驱体、Si前驱体、Mn 前驱体、Bi前驱体、Tb前驱体的纯度均不低于99.5％。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：将Li前驱体、Y前驱体、Ge前驱体、Si前驱体、Mn 前驱体、Bi前驱体与Tb前驱体混合，在氧气或空气氛围中进行高温烧结，得到长余辉发光材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述高温烧结中煅烧的合成温度为

700℃～1200℃，高温烧结的时间为2～10h。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：将Li前驱体、Y前驱体、Ge前驱体、Si前驱体、Mn 前驱体、Bi前驱体与Tb前驱体混合，在氧气或空气氛围中进行首次煅烧，得到含Li、Y、Ge、Si、Bi、Tb、Mn的混合物，再将首次煅烧得到的合成样品充分研磨后在氧气或空气氛围中进行二次煅烧。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述高温烧结中分为两个阶段，其中首次煅烧的合成温度为600℃～900℃，二次煅烧的合成温度为1000℃～1200℃；所述高温烧结的时间分为两个阶段，其中首次煅烧的高温烧结时间为2～4h，二次煅烧的高温烧结时间为5～10h。

8.根据权利要求2或4或6所述的制备方法，其特征在于，具有以下技术特征之一：所述Li前驱体为Li的碳酸盐、Li的氧化物、Li的草酸盐与Li的硝酸盐中的一种或多种；

所述Y前驱体为Y的碳酸盐、Y的氧化物、Y的草酸盐与Y的硝酸盐中的一种或多种；

所述Si前驱体为Si的硅酸盐、Si的氧化物、Si的硅烷与Si的氯化物中的一种或多种；

所述Ge前驱体为Ge的碳酸盐、Ge的氧化物、Ge的草酸盐与Ge的硝酸盐中的一种或多种；

所述Mn前驱体为Mn的碳酸盐、Mn的氧化物、Mn的草酸盐与Mn的硝酸盐中的一种或多种；

所述Bi前驱体为次碳酸铋、Bi的氧化物、Bi的氢氧化物与Bi的硝酸盐中的一种或多种；

所述Tb前驱体为Tb的碳酸盐、Tb的氧化物、Tb的草酸盐与Tb的硝酸盐中的一种或多种。