1.一种石墨烯光电传感器，包括形成于基底上的源电极、漏电极、石墨烯层以及具有梯度结构的透光有机层，其中所述石墨烯层覆盖地设置于所述源电极和漏电极的上层，所述透光有机层至少形成于所述石墨烯层表面并由三层具有不同内应力的有机材料层形成，所述有机材料层的有机材料选自PMMA、PC，由指向远离石墨烯层方向观察，构成所述透光有机层的有机材料层由不同浓度的有机材料浆料涂布形成，所述透光有机层包括：第一层有机材料层由浓度为1.1‑1.5wt.％溶液形成，第二层有机材料层由浓度为2‑3wt.％溶液形成，第三层有机材料层由浓度为3.5‑4.5wt.％溶液形成，所述源电极和漏电极为高度不一致的非对称电极。

2.如权利要求1所述的石墨烯光电传感器，其特征在于，所述非对称电极中源电极的高度是漏电极的2‑10倍。

3.如权利要求2所述的石墨烯光电传感器，其特征在于，所述非对称电极中源电极的高度为200nm,漏电极的高度为100nm。

4.如权利要求1‑3任一所述的石墨烯光电传感器的制备方法，包括如下步骤：

A、准备基底，并在基底上形成源电极和漏电极；

B、向基底转移石墨烯，在源电极和漏电极上方形成覆盖该两个电极的石墨烯层；

C、在石墨烯层表面形成至少两层具有不同内应力的有机材料层，以构建透光有机层。

5.传感器组件，包括如权利要求1‑3任一所述的石墨烯光电传感器以及通信连接到所述石墨烯光电传感器的功能组件，所述功能组件至少选自通信线缆、控制处理器。

6.系统，包括主机以及通信连接到所述主机的传感器件，所述传感器件包括如权利要求5所述的传感器组件和或如权利要求1‑3任一所述的石墨烯光电传感器。