1.一种纯镁表面的多层致密复合膜，以纯镁为基体，其特征在于，所述多层致密复合膜由金属氧化物膜和钽膜组成，金属氧化膜用于诱导和促进钽膜生长，提升复合膜与纯镁基体之间的结合强度。

2.根据权利要求1所述的纯镁表面的多层致密复合膜，其特征在于，所述金属氧化物为二氧化钛。

3.一种权利要求1所述的纯镁表面的多层致密复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将清洗后的纯镁置于磁控溅射炉内的载物台上，安装靶材，靶材为金属氧化物靶和钽靶，然后开始抽真空至高真空状态，再通入氩气调节气压，对纯镁进行预溅射；

(2)预溅射结束后，打开射频电源和氧化物靶的挡板，调整射频功率至100‑300W，溅射氧化物，溅射完成后，关闭射频电源和电源氧化物靶的挡板；

(3)打开直流电源和钽靶的挡板，调整直流功率为100‑200W，溅射钽，溅射完成后，关闭直流电源和钽靶的挡板；

(4)重复步骤(2)和步骤(3)，即得具有多层致密复合膜的纯镁。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其他特征在于，步骤(1)中，所述的纯镁与靶材之间的距离为5‑8cm。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其他特征在于，步骤(1)中，所述的高真空状态：真‑4空度为≤6×10 Pa。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其他特征在于，步骤(1)中，所述的气压为1‑3Pa。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其他特征在于，步骤(1)中，所述的预溅射的时间为

5‑15min。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其他特征在于，步骤(2)中，所述的溅射金属氧化物的时间为5‑120min。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其他特征在于，步骤(3)中，所述的溅射钽的时间为

5‑60min。

10.根据权利要求3所述的制备方法，其他特征在于，步骤(4)中，所述的重复的次数为

1‑3次。