1.一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将共晶高熵合金AlCoCrFeNi2.1分割成均等的共晶高熵合金块，超声清洗干净后打磨抛光再吹干；

（2）将步骤（1）得到的共晶高熵合金块置于电子束真空腔室内，设置电子束的参数及重熔的搭接率，对共晶高熵合金块的上下表面进行电子束重熔处理，随即在真空腔室内快速冷却至室温后取出，打磨抛光。

2.根据权利要求1所述的一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，所述共晶高熵合金AlCoCrFeNi2.1中熔炼所需的5种单质元素纯度在99.95%以上。

3.根据权利要求1所述的一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，所述步骤（1）中，打磨抛光依次采用120‑2000#的水砂纸。

4.根据权利要求1所述的一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，所述步骤（1）中，分割方式为线切割、切割锯切割、电气焊切割、等离子切割中任意一种。

5.根据权利要求1所述的一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，打磨抛光依次采用120‑2000#的水砂纸。

6.根据权利要求1或3或5所述的一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，所述步骤（1）和（2）中，打磨抛光后用丙酮溶液去除表面油污，再用酒精擦拭后吹干。

7.根据权利要求1所述的一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，电子束参数为：焊接束流≥10 mA，扫描速度200‑400 mm/min，扫描频率200 Hz；重熔搭接率50%。

8.根据权利要求7所述的一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，除所述的电子束参数外，其他固定的通用参数为：聚焦电流268 mA，偏压电压1800 V，高压电压65 KV，对缝束流2 mA，灯丝电流21 A。

9.根据权利要求1或7或8所述的一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，所述步骤（2）处理后的共晶高熵合金块，其重熔层厚度占共晶高熵合金块厚度的

56.32%以上。

10.根据权利要求1所述的一种电子束表面处理改善共晶高熵合金疲劳性能的方法，其特征在于，

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所述步骤（2）中，真空腔室内的冷却速度为10‑10 K/s。