1.一种可调控偏振发光模式的发光二极管，其特征在于：包括：依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极；

所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等；

所述p型电极、n型电极和第一p型半导体层的长度为0.4μm；

所述第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层和衬底层的长度为1μm；

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所述第一p型半导体层的厚度为0.1μm，采用p型掺杂GaN，掺杂浓度为1×10 cm ；

19 ‑3

所述第二p型半导体层的厚度为0.3μm，采用p型掺杂GaN，掺杂浓度为1×10 cm 。

2.根据权利要求1所述的一种可调控偏振发光模式的发光二极管，其特征在于：所述第一InGaN势阱层、第二InGaN势阱层、第三InGaN势阱层和第四InGaN势阱层厚度均为3nm，均采用In0.1Ga0.9N。

3.根据权利要求1所述的一种可调控偏振发光模式的发光二极管，其特征在于：所述第一GaN势垒层、第二GaN势垒层、第三GaN势垒层和第四GaN势垒层厚度均为7nm，均采用GaN。

4.根据权利要求1所述的一种可调控偏振发光模式的发光二极管，其特征在于：所述n

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型半导体层厚度为0.1μm，采用n型掺杂GaN，掺杂浓度为1×10 cm 。

5.根据权利要求1所述的一种可调控偏振发光模式的发光二极管，其特征在于：所述衬

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底层厚度为3μm，采用n型掺杂GaN，掺杂浓度为1×10 cm 。