1.一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：包括由上至下依次设置的变取向像素层(1)、基底(2)、第一传输层(3)、有机发光层(4)、第二传输层(5)和复合背电极(6)，在基底(2)上表面设置变取向像素化纳米金属光栅单元，组成变取向像素化层(1)；在所述的第一传输层(3)、有机发光层(4)、第二传输层(5)和复合背电极(6)上均分别设置相同取向一维纳米光栅结构。

2.根据权利要求1所述的一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：

所述的变取向像素化纳米金属光栅单元周期为100～220nm，占空比为0.3～0.6，槽深为60～120nm；所述的相同取向一维纳米光栅结构为周期性阵列光栅，其周期为150～250nm，占空比为0.4～0.6，槽深为30～50nm。

3.根据权利要求1所述的一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：

所述的基底(2)为两层结构叠合而成，其中一层的材质选自玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯的一种，另一层的材质为铟锡氧化物。

4.根据权利要求1所述的一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：

所述的第一传输层(3)是由一种或几种材料组成的叠层结构，材料选自Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)dryre-dispersiblepellets]、氧化锌、三氧化钼、二氧化钛、1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和4,4′,4″-Tri(9-carbazoyl)triphenylamine。

5.根据权利要求1所述的一种线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：所述的有机发光层(4)是两种掺杂组合而成，其一是选自2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)、三(8-羟基喹啉)铝、4,4'-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl中的一种或几种的掺杂，其二是选自2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,5H,11H-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9,9A,

1GH]香豆素、Tris(2-phenylpyridine)iridium(III)(Ir(ppy)3)、(乙酰丙酮)双(2-甲基二苯并[f,h]喹喔啉)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-

6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃中的一种或几种的掺杂。

6.根据权利要求1所述的一种线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：所述第二传输层(5)是由一种或几种材料组成的叠层结构，所述材料选自Alq3、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺和2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的一种线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：所述的复合背电极(6)是两层结构叠合而成，其中一层的材质选自LiF和MoO3，另一层的材质选自金属Al和金属Ag。

8.根据权利要求1所述的一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：

所述的变取向像素化纳米金属光栅单元的取向变化范围是0°到180°。

9.根据权利要求1所述的一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管，其特征在于：

所述的变取向像素化纳米金属光栅单元的金属材质为铝，银或者铜中的一种。