1.一种5G频段的射频功率放大器控制电路，5G频段的射频功率放大器用于5G频段的射频电路，所述射频电路与数字集成芯片连接，其特征在于，所述射频功率放大器为GaN 功率放大器，所述控制电路包括：NPN型三极管、N沟道MOS管、P沟道MOS管、数字模拟转换器、运算放大器和多个电阻；

其中，NPN型三极管与N沟道MOS管连接，用于接收数字集成芯片的时序控制引脚输出的时序信号进行负压电平转换生成静态工作电平；

数字模拟转换器，用于接收数字集成芯片的不同占空比信号生成不同模拟信号；

P沟道MOS管分别与N沟道MOS管、数字模拟转换器和运算放大器连接，用于控制是否接通与数字模拟转换器的连接；

多个所述电阻包括第一电阻和第四电阻，所述第一电阻的两端分别与第一VCC端、所述数字集成芯片的时序控制引脚连接，所述第四电阻的两端分别与第二VCC端、所述NPN型三极管的第一端连接，所述NPN型三极管的第二端与GND端连接，所述NPN型三极管的第三端通过第三电阻与所述数字集成芯片的时序控制引脚连接；

在接收到所述静态工作电平时，P沟道MOS管接通与数字模拟转换器的连接，将所述数字模拟转换器生成的不同模拟信号输出至运算放大器，通过所述运算放大器驱动使能GaN功率放大器的栅源电压幅度生成静态工作点的栅源电压幅度输出。

2.一种5G频段的射频功率放大器控制电路，5G频段的射频功率放大器用于5G频段的射频电路，所述射频电路与数字集成芯片连接，其特征在于，所述射频功率放大器为GaN 功率放大器，所述控制电路包括：肖特基二极管、第一N沟道MOS管、与门器、第二N沟道MOS管、P沟道MOS管和多个电感、电容；

其中，肖基特二极管与第一N沟道MOS管连接，用于接收对正负压的分压压力值并稳定所述分压压力值，通过所述分压压力值控制第一N沟道MOS管的开关连通；

第一N沟道MOS管与与门器连接，用于将数字集成芯片的时序控制引脚输出的时序信号输入至与门器生成时序控制信号；

第二N沟道MOS管与P沟道MOS管的连接通过响应于所述时序控制信号导通生成GaN功率放大器的上电信号；

多个所述电感包括第一电感和第二电感，所述第一电感的两端分别与第一电源端、所述肖特基二极管的第一端连接，所述第二电感的两端分别与第二电源端、所述肖特基二极管的第一端连接，所述肖特基二极管的第二端与GND端连接，所述电容包括第一电容，所述第一电容的两端分别与GND端、所述第一N沟道MOS管的第一端连接，所述第一N沟道MOS管的第二端与所述肖特基二极管的第一端连接，所述第一N沟道MOS管的第三端与GND端连接；

根据所述上电信号控制GaN功率放大器的上下电顺序。

3.根据权利要求2所述的5G频段的射频功率放大器控制电路，其特征在于，所述控制电路还包括：设置于与门器和第二N沟道MOS管之间的调速器；

所述调速器为并联的一个电容和一个电感；

通过调整所述调速器的电容值或电感值控制GaN功率放大器的上下电速率。

4.一种5G频段的射频电路，其特征在于，所述射频电路包括：射频巴伦、下行射频通信模块、上行射频通信模块；

射频巴伦，用于对接收射频收发机输出的差分平衡端信号和单端信号之间的阻抗匹配进行转换生成阻抗匹配信号；

下行射频通信模块，用于基于集成的功率放大器、集成的环形器、第一射频开关和第二射频开关对所述阻抗匹配信号进行功率检测输出增益的射频调制信号；

上行射频通信模块，用于基于集成的环形器和第二射频开关对接收的带外信号进行抑制及带内信号进行放大处理生成放大信号发送至射频巴伦；

其中，所述集成的功率放大器为利用如权利要求1‑3任一项所述的5G频段的射频功率放大器控制电路控制的GaN功率放大器。

5.根据权利要求4所述5G频段的射频电路，其特征在于，所述下行射频通信模块包括：集成的功率放大器，耦合器、环形器、第一射频开关和第二射频开关；

耦合器，用于实时获取经过信号放大模块处理后的信号进行耦合生成耦合信号；

环形器，用于接收读取天线信号状态的驻波检测信号和耦合信号进行功率检测并输出增益的耦合信号；

其中，所述环形器分别与所述第一射频开关和所述第二射频开关连通。

6.根据权利要求4所述的5G频段的射频电路，其特征在于，

其中，所述第一射频开关和第二射频开关均为单刀双掷开关；

第一射频开关的第一端连接至接收射频收发机的反馈通道上的射频巴伦，第二端连接至耦合器，第三端连接至第二射频开关；

第二射频开关的第一端连接至环形器，第二端连接至第一射频开关；

通过第一射频开关和所述第二射频开关实现下行链路的闭环控制。

7.根据权利要求5所述的5G频段的射频电路，其特征在于，所述集成的功率放大器包括：GaN推动级功率放大器、GaN末级功率放大器。

8.根据权利要求5‑7任一项所述的5G频段的射频电路，其特征在于，还包括：波导滤波器，用于对下行射频通信模块输出的增益的耦合信号进行发射杂散抑制或对上行射频通信模块接收的带外信号进行带外阻塞抑制。

9.根据权利要求8所述的5G频段的射频电路，其特征在于，所述的5G频段的射频电路通过时分双工模式实现下行射频通信模块或上行射频通信模块的信号处理。

10.一种用于实现5G频段的4TR微站电路板，其特征在于，包括：四个如权利要求4 9任一项所述的5G频段的射频电路；

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利用所述5G频段的射频电路接收射频收发机的信号进行5G频段的信号处理。