1.一种Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：

1）平面或者曲面TiO2电极的制备

采用喷雾热解法在ITO玻璃上制备TiO2电极或者SiO2@TiO2二维光子晶体，作为基底；

2）Au纳米颗粒的沉积

利用真空蒸镀法，通过控制蒸发速率，一步将Au纳米颗粒沉积在基底上。

2.如权利要求1所述的Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在于：所述真空蒸镀法中蒸镀采用钨舟，Au线为蒸发源，控制蒸镀过程中的沉积速率为0.005‑1 ‑5 ‑4 ~

0.03 nm·s ，蒸镀时间为200 2500 s，蒸镀压力为8×10 4×10  Pa。

~ ~

3.如权利要求1或2所述的Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在于：所述平面或者曲面TiO2电极的制备中，所述平面TiO2电极是在ITO玻璃表面采用喷雾热解法而得到TiO2薄膜；所述曲面TiO2电极是在平面TiO2电极表面，利用气‑液界面自组装方法沉积制备SiO2二维光子晶体，再采用喷雾热解法得到SiO2@TiO2二维光子晶体薄膜。

4.如权利要求3所述的Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在‑1于：所述SiO2二维光子晶体的制备过程为向水中先加入30~50 μL、浓度为0.8~1.5 mol·L的十二烷基磺酸钠水溶液作为表面活性剂，再慢慢滴加SiO2小球的正丁醇分散液，在气‑液界面自组装一层SiO2二维光子晶体，最后将其转移到平面TiO2电极；其中，所使用的SiO2小球为Stöber法合成，粒径为250 600 nm。

~

5.如权利要求3或4所述的Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在于：所述SiO2二维光子晶体沉积以前，先将平面TiO2电极以紫外光照射15~30 min。

6.如权利要求1至5任一所述的Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在于：所述喷雾热解法中控制氮气喷雾压力0.10 0.15 MPa，单次喷涂时间1 s，60 s~o

后进行下一次喷涂，喷涂次数2 5次，焙烧温度为480 550  C，焙烧时间为30 60 min。

~ ~ ~

7.如权利要求1至6任一所述的Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在于：在采用喷雾热解法制备平面TiO2电极的过程中，使用的前驱液采用体积比为4

5:1的异丙醇和二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯的混合溶液。

~

8.如权利要求1至7任一所述的Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在于：所述ITO玻璃在使用前先分别使用超纯水和无水乙醇超声清洗10 20 min进行~预处理。

9.一种Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：

1）平面TiO2电极的制备：

将分别用超纯水和无水乙醇超声处理10 min的ITO玻璃作为基底，使用体积比为4～5:

1的异丙醇和二(乙酰丙酮基)钛酸二异丙酯的混合溶液为前驱液，控制氮气喷雾压力为

0.12 MPa，在ITO玻璃表面喷涂1 s后间隔60 s，再重复该喷涂步骤2次，最后将喷涂后的样 oC

品在500 焙烧45 min；

2）真空蒸镀法制备Au纳米颗粒：

将所得的平面TiO2电极作为基底放入真空热蒸发蒸镀仓，将蒸发源Au线置于钨舟中，控‑1 ‑4制蒸镀沉积速率为0.01 nm·s ，压力为2×10  Pa，蒸镀时间为1000 s，将Au纳米颗粒直接沉积到TiO2电极上。