1.一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，依次包括WO3纳米片阵列薄膜的制备和WO3/Au光阳极的制备，其特征在于：所述WO3/Au光阳极的制备是将WO3纳米片阵列薄膜置于SnCl2的盐酸溶液浸泡，然后用无水乙醇冲洗吹干，再置于HAuCl4水溶液中浸泡一段时间，然后取出去离子水冲洗吹干，最后置于HNO3水溶液中浸泡一段时间，即制得WO3/Au光阳极。

2.如权利要求1所述的一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，其特征在于：上述SnCl2的盐酸溶液是在盐酸中加入SnCl2，调节溶液pH值为0.5 2，SnCl2的浓度为~

0.01 0.03 M，HAuCl4水溶液的浓度为10 26 mM。

~ ~

3.如权利要求1或2所述的一种超细Au纳米颗粒修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，其特征在于：上述的WO3纳米片薄膜在SnCl2溶液中浸泡的时间为2~5 min，在HAuCl4溶液中浸泡2 10 min，重复浸泡次数为1 30次。

~ ~

4.如权利要求1-3任一项所述的一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，其特征在于：所述的HNO3溶液浓度为3 M，浸泡时间为3~12 h。

5.如权利要求1所述的一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，其特征在于：所述WO3纳米片阵列薄膜的制备具体是称取Na2WO4溶于去离子水形成Na2WO4水溶液，在搅拌下缓慢滴加浓度为3M的盐酸，搅拌30 min后加入草酸铵，溶液变澄清后补加去离子水，将所得前驱液倒入聚四氟乙烯内衬，放入FTO玻璃（导电面朝下），进行水热反应，然后取出清洗、干燥，最后焙烧。

6.如权利要求5所述的一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，其特征在于：所述Na2WO4水溶液中Na2WO4与去离子水的质量体积比为0.77:100g/mL，加入的盐酸与Na2WO4水溶液中的去离子水的体积比为5:1，Na2WO4与草酸铵的质量比为1.155:1，最后加入的去离子水与Na2WO4水溶液中的去离子水的体积比为15:17。

7.如权利要求5或6所述的一种纳米Au修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，其特征在于：上述水热反应是在100 120℃下水热反应6 18 h，上述焙烧温度450℃，焙烧时间为2 ~ ~h。

8.一种超细Au纳米颗粒修饰的WO3纳米片阵列光阳极的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：

1）WO3纳米片阵列薄膜的制备：称取Na2WO4溶于去离子水，在搅拌下缓慢滴加3 M的盐酸，搅拌30 min后加入草酸铵，溶液变澄清后补加去离子水，将所得前驱液倒入聚四氟乙烯内衬，放入FTO玻璃（导电面朝下），置于烘箱中100 120℃水热反应6 18 h，冷却后取出，清~ ~洗、干燥、450℃焙烧2 h，即得到WO3纳米片薄膜；上述Na2WO4水溶液中Na2WO4与去离子水的质量体积比为0.77:100g/mL，加入的盐酸与Na2WO4水溶液中的去离子水的体积比为5:1，Na2WO4与草酸铵的质量比为1.155:1，最后加入的去离子水与Na2WO4水溶液中的去离子水的体积比为15:17；

2）WO3/Au光阳极的制备：将步骤1）所得WO3纳米片阵列薄膜在pH值为0.5~2的SnCl2的盐酸水溶液中浸泡2 5min，SnCl2的浓度为0.01 0.03 M，取出用无水乙醇冲洗吹干，再在浓度~ ~为10 26 mM的 HAuCl4水溶液中浸泡2 10min，取出后用去离子水冲洗，吹干，重复上述操作~ ~

1~30次，得到不同Au沉积量的样品，最后将样品置于浓度为3M的HNO3水溶液中浸泡3~12h，即制得WO3/Au光阳极。