1.一种氢键有机框架纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S11：将TBAPy加入有机溶剂中，加热混合，得到前驱体溶液；

S12：向所述前驱体溶液中加入醇或水，除杂，得到纳米级2D‑HOFs；

S13：光照条件下，将纳米级2D‑HOFs加入金属盐溶液中反应，得到所述氢键有机框架纳米复合材料。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S11中，加热混合的方法为：于保护气氛下加热至70‑90℃，搅拌12‑20h。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为DMF，DMSO，1,4‑二氧六环或THF。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S13中，反应的温度为40‑60℃。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属盐溶液包括硝酸银水溶液，硝酸铑水溶液或硝酸铜水溶液。

6.一种权利要求1‑5中任一项所述制备方法制备得到的氢键有机框架纳米复合材料。

7.一种双端结构忆阻器件，其特征在于，包括权利要求6所述的氢键有机框架纳米复合材料。

8.一种权利要求7所述双端结构忆阻器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S21：将氢键有机框架纳米复合材料和聚乙烯基吡咯于混合溶剂中混合后，分离得到上层分散液；

S22：将所述上层分散液涂覆于氧化铟锡基底上，干燥，得到有机功能纳米薄膜复合层；

S23：向所述有机功能纳米薄膜复合层涂覆上层分散液的一侧表面蒸镀金属电极，得到所述双端结构忆阻器件。

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述混合溶剂包括乙醇和氯苯。

10.权利要求7所述双端结构忆阻器件在模拟仿生人工突触器件的电学行为的应用。