1. CuaAg1Bi2In/CuI复合光电薄膜，其特征在于：包括CuaAg1Bi2In层和位于其上的CuI层，其中：0.6 ≤ a ≤1.0，7.6 ≤ n ≤8.0，n=a+7，CuaAg1Bi2In的带隙为1.78‑1.91 eV。

2. 根据权利要求1所述的CuaAg1Bi2In/CuI复合光电薄膜，其特征在于：CuI薄膜厚度为

100‑700 nm，CuaAg1Bi2In薄膜厚度为200‑800 nm。

3.权利要求1所述的CuaAg1Bi2In/CuI复合光电薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）在基底上分别溅射Bi、Cu和Ag金属单质薄膜，银最后溅射，各原料的原子比Ag：Cu：Bi = 1.00：1.45 2.18：0.94 1.42；

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（2）把溅射好的薄膜置于密闭容器中，加入碘粒，碘用量过量，在一定温度下反应一段时间，反应温度为60‑140 ℃，反应时间为6‑48 h，冷却至室温，得到CuaAgm1Bim2In / CuI复合薄膜。

4.权利要求3所述的CuaAg1Bi2In/CuI复合光电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中溅射顺序为：Bi、Cu、Ag。

5.权利要求3所述的CuaAg1Bi2In/CuI复合光电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的基底为玻璃基底，或FTO/c‑TiO2/mTiO2。

6.太阳能电池器件，其特征在于：为电子传输层/吸收层/空穴传输层/导电层结构，具体为FTO/c‑TiO2/mTiO2/CuaAg1Bi2In/CuI/Carbon结构，所述的CuaAg1Bi2In/CuI为权利要求1所述的CuaAg1Bi2In/CuI复合光电薄膜，由权利要求3所述的制备方法一步制备得到。