1.一种卤代环戊二噻吩聚合物材料，其特征在于，它以卤代环戊二噻吩为给电子单元，结构式见式I：式中，X选自Cl或F。

2.根据权利要求1所述的卤代环戊二噻吩聚合物材料，其特征在于，所述卤代环戊二噻吩聚合物的分子量为1万～8万。

3.根据权利要求1所述的卤代环戊二噻吩聚合物材料，其特征在于，所述给电子单元的结构式见式II；

其中，X选自Cl或F。

4.根据权利要求1所述的卤代环戊二噻吩聚合物材料，其特征在于，所述缺电子单元具体包括如下结构式中的一种或几种：其中，R1为C1～C20的烷基或烷基上一个碳原子被氧原子或硫原子取代；R2选自C1～C30的烷基链，Y选自F、Cl、CH3、OCH3、CN、酯基或烷基噻吩。

5.权利要求1～4任一项所述卤代环戊二噻吩聚合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将给电子单元单体、缺电子单元单体和催化剂加入有机溶剂中混合均匀，在保护气氛下，进行脱溴偶联反应，然后进行沉降、抽提，得所述卤代环戊二噻吩聚合物。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述脱溴偶联反应温度为100～120℃，时间为12～96h。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述给电子单元单体、缺电子单元单体和催化剂的摩尔比为1:1:(0.03～0.15)。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂为四(三苯基膦)钯或三(二亚苄基丙酮)二钯；有机溶剂为甲苯或氯苯。

9.一种以卤代环戊二噻吩聚合物材料为给电子单元的聚合物作为活性层材料或传输层材料在光电器件中的应用。