1.一种Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结，其特征在于，包括暴露(010)晶面的十面体状单斜相m‑BiVO4和由十面体状单斜相m‑BiVO4的(110)晶面相变得到的四方相t‑BiVO4，以及负载在四方相t‑BiVO4上的颗粒状Cs0.32WO3，十面体状单斜相m‑BiVO4与四方相t‑BiVO4形成Z型异质结；四方相t‑BiVO4与颗粒状Cs0.32WO3形成Z型异质结。

2.权利要求1所述的Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结的制备方法，其特征在于，包括：S1，将Cs0.32WO3晶体粉体分散在水中，经紫外光照射后，得到Cs0.32WO3溶液；将暴露(010)和(110)晶面的十面体状单斜相m‑BiVO4晶体粉体分散在乙醇中，经紫外光照射后，得到m‑BiVO4溶液；

S2，将Cs0.32WO3溶液和m‑BiVO4溶液混合，在紫外光照射条件下进行光照选择沉积反应，所得产物洗涤、干燥，得到Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结。

3.根据权利要求2所述的Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结的制备方法，其特征在于，S1中，所述十面体状单斜相m‑BiVO4晶体粉体的制备方法为：步骤1，将Bi(NO3)3·5H2O溶于稀HNO3溶液中，搅拌至澄清，调节pH为0.52，然后加入NH4VO3，搅拌，形成前驱液A；

步骤2，将前驱液A进行水热反应，反应所得沉淀洗涤、干燥，制得暴露(010)和(110)晶面的十面体状单斜相m‑BiVO4晶体粉体。

4.根据权利要求2所述的Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结的制备方法，其特征在于，S1中，所述Cs0.32WO3晶体粉体的制备方法为：步骤1，将WCl6及CsNO3溶于无水乙醇中，再加入乙酸，搅拌，形成前驱液B；

步骤2，将前驱液B进行溶剂热反应，反应所得沉淀洗涤、干燥，得到Cs0.32WO3晶体粉体。

5.根据权利要求2所述的Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结的制备方法，其特征在于，S1中，所述紫外光照射的时间均为30～40min。

6.根据权利要求2所述的Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结的制备方法，其特征在于，S2中，光照选择沉积反应的时间为180～210min。

7.根据权利要求2所述的Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结的制备方法，其特征在于，S2中，Cs0.32WO3和m‑BiVO4的摩尔比为(0.001～1.453)：1.235。

8.权利要求1所述的Cs0.32WO3/(m‑t)‑BiVO4异质结作为光催化剂在降解有机污染物中的应用。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述有机污染物为抗生素、苯酚、水杨酸、双酚A或香豆素。