1.一种含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：包括，在基底上制作第一电极层，在第一电极层上制作第一传输层，在第一传输层上使用共振型分子溶液制作界面层，在界面层上使用低温溶液退火工艺制备光活性层，在光活性层上依次制作第二传输层和阻挡层；在阻挡层上制作第二电极层；

其中，所述基底的材料为透明玻璃，所述第一传输层为空穴传输层，所用材料为p型有机半导体材料聚[双(4‑苯基)(2,4,6‑三甲基苯基)胺]；所述界面层为埋底界面原位诱导层，所用材料为N‑(2‑吡啶基)‑三甲基乙酰胺；所述光活性层为钙钛矿活性层，所用材料为(Cs0.05FA0.81MA0.14)Pb(I0.86Br0.14)3；

所述埋底界面原位诱导层的制备方法包括，将N‑(2‑吡啶基)‑三甲基乙酰胺溶于异丙醇、N,N‑二甲基甲酰胺中的一种，搅拌制得N‑(2‑吡啶基)‑三甲基乙酰胺的浓度为15mg/mL界面诱导层溶液，将其在空穴传输层上旋涂，旋涂结束后将其置于热台上进行退火反应，即得埋底界面原位诱导层。

2.如权利要求1所述的含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：所述第一电极层为金属氧化物阳极层，所述第二传输层为电子传输层，所述阻挡层为空穴阻挡层，所述第二电极层为金属阴极层。

3.如权利要求2所述的含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：所述金属氧化物阳极层材料为ITO或FTO中的一种，所述电子传输层材料为n型材料，所述空穴阻挡层材料为LiF；所述金属阴极层材料为高导电率金属材料。

4.如权利要求3所述的含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：所述n型材料包括[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸异甲酯、PC71BM、浴铜灵、C60中的一种或多种，所述高导电率金属材料为Cu、Au、Ag、Al中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：所述搅拌，其中搅拌温度为60℃，搅拌时间为12h。

6.如权利要求1所述的含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：所述旋涂，其中，旋涂速度为2000 6000r/min。

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7.如权利要求1所述的含界面原位诱导层的光伏器件的制备方法，其特征在于：所述退火反应，其中，反应温度为70 120℃，反应时间为5 30min。

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8.如权利要求1所述方法制备得到的含界面原位诱导层的光伏器件。