1.一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1、改性纳米γ‑氧化铝颗粒：使用偶联剂将纳米γ‑氧化铝颗粒改性；

S2、浆料配制：将配方量的微米α‑氧化铝、改性纳米γ‑氧化铝、溶剂、分散剂按比例加入球磨机，进行球磨分散，分散完成后再加入粘结剂和增塑剂进行二次球磨，出料后通过真空脱泡获得粘度为2000‑3000mPa·s的流延浆料；

S3、流延：将所述流延浆料用流延机流延成型，再将所得流延生坯片裁剪成相应的尺寸形状；

S4、排胶：将流延生胚片置于模具中，叠放至指定厚度后，置于热压烧结炉中排胶，且不施加压力；

S5、低压成型：排胶完成后，于热压烧结炉中对其施加轴向梯度压力，保压一段时间，令其叠层压实；

S6、烧结：提升热压烧结炉温度并调整压力对其进行热压烧结，制得大尺寸高纯陶瓷基板。

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，其特征在于，在S2步骤中粉体组成其体积占比分别为：改性微米α‑氧化铝90‑92份，改性纳米γ‑氧化铝8‑10份。

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，其特征在于，在S2步骤中，所述溶剂的添加量为所述氧化铝粉体总质量的28‑32％，所述分散剂的添加量为所述氧化铝粉体总质量的2‑4％，所述粘接剂的添加量为所述氧化铝粉体总质量的8‑10％，所述增塑剂的添加量为所述氧化铝粉体总质量的6‑8％。

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，其特征在于，在S2步骤中，所述溶剂为无水乙醇和丁酮的二元共沸混合物，所述分散剂为磷酸三丁酯，所述粘接剂为聚乙烯醇缩丁醛，所述增塑剂为聚乙二醇。

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，其特征在于，在S2步骤中，所述球磨分散的时间为24‑48小时，二次球磨的时间为24小时。

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，其特征在于，所述的微米α‑氧化铝平均粒径为0.5μm，纳米γ‑氧化铝平均粒径为10nm。

7.根据权利要求1所述的一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，其特征在于，在S4步骤中，所述的排胶温度为400‑600℃，排胶气氛为空气气氛，保温时间为2‑4小时，且叠放1片及以上的生坯坯体。

8.根据权利要求1所述的一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，其特征在于，在S5步骤中，所述的轴向梯度压强最高为20‑40MPa，保压时间为3‑10分钟。

9.根据权利要求1所述的一种大尺寸高纯陶瓷基板的制备工艺，其特征在于，在S6步骤中，所述的热压烧结炉的压强为60‑100MPa，烧结温度为1580‑1650℃，烧结气氛为真空气氛，保温时间为1‑2小时。